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1.
加入WTO标志着我国改革开放、经济建设和社会发展进入了一个新的历史阶段,必然对我国无线电事业发展,尤其是对无线电管理法制建设产生重大影响。如何正确应对新形势下的机遇和挑战,是无线电管理法制工作的一大课题。加入WTO后,我国无线电管理法制建设的有利因素1.事业发展获得新动力我国无线电管理法制建设是伴随着无线电事业的发展而发展。由于种种原因,在相当长的历史过程中,我国无线电事业发展比较缓慢,无线电管理缺乏法律手段。建国后的30年间,国家虽然颁布了一些无线电管理政策性文件,但没有一部权威性的无线电管理法律、法规,也谈… 相似文献
2.
本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予详细讨论。实验结果表明,利用In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层超晶格的Wannier-Stark效应可以制作0.98μm波长范围的电光调制器和自电光双稳器件。 相似文献
3.
4.
本文研究了在Si(111)衬底上生长GaN外延层的方法。相比于直接在AlN缓冲层上生长GaN外延层,引入GaN过渡层显著地提高了外延层的晶体质量并降低了外延层的裂纹密度。使用X射线双晶衍射仪、光学显微镜以及在位监测曲线分析了GaN过渡层对外延层的晶体质量以及裂纹密度的影响。实验发现,直接在AlN缓冲层上生长外延层,晶体质量较差, X射线(0002)面半高宽最优值为0.686°,引入GaN过渡层后,通过调整生长条件,控制岛的长大与合并的过程,从而控制三维生长到二维生长过渡的过程,外延层的晶体质量明显提高, (0002)面半高宽降低为0.206°,并且裂纹明显减少。研究结果证明,通过生长合适厚度的GaN过渡层,可以得到高质量、无裂纹的GaN外延层。 相似文献
5.
The photocurrent (PC) spectroscopy of the GaAs/AlAs and GaAs/ AlGaAs superlattices (SLs) are studied by using a P-i-N photodiode structure in which the intrinsic regions are composed of SLs. The measurements were made at different temperatures ranging from 15K to 300K and with the application of transverse dc electric field. A sequence of exciton absorption peaks were observed and assigned according to the theoretical predictions based on the Kronig-Penney model calculations of sublevel energies in the coupled multiple quantum wells (MQWs). The SL structure parameters were checked by both the absolute peak positions and the heavy and light hole splittings. The quantum confined Stark effect of excitonic transitions in MQWs which is closely dependent on the barrier and well layer thicknesses was studied. The assignment of some forbidden transitions was proved by different ways. The PC spectroscopy was also measured by the excitation of linear polarized light in a side illumination mode.The anisotropic effect showed distinct features related to heavy and light holes, respectively. 相似文献
6.
The two-dimensional electron gas concentration dependence of photore-flectance of n-AlGaAs/GaAs heterostructures is reported and explained by analysing the physical process induced by photo-modulation. Comparison of the experimental results and energy level calculations based on a triangular potential well approximation shows good agreement. 相似文献
7.
本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3e9cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3e9cm 相似文献
8.
制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2. 相似文献
9.
10.