VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

期刊文献

<正>一步法合成十二烷基葡萄糖苷反应过程研究张永昭,计建炳,艾宁摘要:以正十二醇和葡萄糖为原料一步法制备十二烷基葡萄糖苷,研究了不同反应条件(催化体系、催化剂用量、温度、醇糖比等)对反应过程转化率和选择性的影响,提出了此反应过程的物理模型。研究结果表明,合成十二烷基葡萄糖苷的反应主要由生成十二烷基葡萄糖苷的主反应和生成多糖的副反应组成。十二醇与葡萄糖反应生成烷基葡萄糖苷的主反应属于液相反     

内十二角法兰螺栓头部断裂仿真研究

针对内十二角法兰螺栓成形过程中,杆部长度为69和70 mm时,螺栓头与杆部之间拐角位置的损伤程度进行了研究,指出Freudenthal断裂准则能较好的表现其损伤程度。在此基础上,预测了螺栓拧紧时的断裂位置和扭矩。金属流线仿真结果显示,杆部材料向下流动,使拐角位置的金属流线呈现凹陷弯曲的形态,并贴近拐角表面。对此,提出了沿着金属流线空洞被拉长的理论假设,发现空洞被拉长时,应力集中程度增大,更加容易断裂。拧紧断裂和金属流线实验结果与仿真结果基本一致,表明内十二角法兰螺栓成形过程中,杆部材料向下流动,使拐角位置的损伤程度增加,同时,金属流线凹陷弯曲和贴近表面的形态特征也促进了其断裂过程。     

AT89C2051芯片在车载产品中的应用

本文论述了采用单片机技术研制成功的泊车用超声波测距仪的基本原理,用AT89C2051作为控制器的实现方案,以及采用软件校正的方法,提高了测量精度和整机的可靠性.     

具有极低正向压降（0．375V）的肖特基势垒整流器 用于开关模式电源、电源适配器等产品

这五款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器可在开关模式电源中作为整流电路或OR—ing二极管，或可替代同步整流解决方案。     

光电器件

高速率低脉宽失真的光耦合器；超小封装的传输光学编码器模块；高功率RGB LED。     

对PCM程控数字交换机中T型时分接续网若干问题的研究

PCM程控数字交换机中T型时分接续网的交换原理,实用T型接续网必须解决的实际问题及方法.     

十二酰胺丙基二甲基羟乙基氯化铵与十二烷基硫酸钠水溶液的表面吸附和胶束形成

利用十二酰胺丙基二甲胺和氯乙醇反应 ,合成了十二酰胺丙基二甲基羟乙基氯化铵 (DDHA)阳离子表面活性剂 ,将其与十二烷基硫酸钠 (SDS)以不同摩尔比进行混合 ,测定了混合系统的表面张力 ,计算了单一系统和混合系统的饱和吸附量、分子最小截面积 ,表面层和胶束中 DDHA的摩尔分率及分子间相互作用参数 ,目视观察了混合系统的浑浊情况。结果表明 :在降低γcmc和 cmc方面 ,DDHA SDS混合系统有协同效应 ,表面层和胶束的组成与二组分配比有关 ,但是非对称的 ,等物质的量混合物中 ,DDHA在胶束和表面层中具有较大的摩尔分数。DDHA与 SDS在实验测定的各混合系统中都不出现混浊