溅射气体和基板偏压对溅射Al2O3薄膜内应力和密度的影响

在纯Ａｒ和Ａｒ＋１０％Ｏ２两种工作气体及不同基板偏压条件下，用射频溅射方法制备了Ａｌ２Ｏ３薄膜，测量了每个样品的内应力和密度，并对部分样品用Ｘ射线光电子谱进行了结构分析。结果表明，薄膜呈非晶态，薄膜的应内应力均为压力，并给出了气体种类和偏压对膜的密度和应力的影响。     

电子束和热退火后处理的射频溅射沉积ZrO2—Y2O3薄膜的结构特征

对射频磁控溅射沉积的ＺｒＯ２－１２ｗｔ％Ｙ２Ｏ３薄膜进行了电子束处理和热退火处理。通过ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＳＥＭ等的微观分析，研究了薄膜的相结构组成，薄膜主要组成元素的氧化态以及薄膜的形貌特征。并对以提高薄膜增韧性为目的而进行的后处理的方式选择作了讨论。     

PTC－BaTiO_3射频溅射用靶材的制备

研究了用于射频溅射ＰＴＣ－ＢａＴｉＯ_３薄膜的厚大靶材制备工艺，所制成的靶材的室温电阻率为８００Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应＞１０５，平均粒径为１～３μｍ，讨论了配方中ＴｉＯ_２品种的选择、施受主添加剂的搭配与掺量以及烧成中的升降温速率对于ＰＴＣ效应的影响     

磁控溅射镀膜技术在建材及民用工业中的应用

本文扼要阐述了磁控溅射镀膜技术在建材及民用工业中的应用前景及特点，所需设备类型及镀膜过程中应注意的若干问题，并对若干种镀膜玻璃的膜系及镀膜玻璃的性能要求与测试等问题进行了介绍。     

智能化磁控谐振高压试验系统研究

目前电网智能化水平的提升对高压试验的智能化和试验效率也有了更高的需求,为解决现有的高压试验电源在高压交流绝缘试验中存在的不足,提升高压试验的效率,提出了一种智能化磁控谐振高压试验系统。该试验系统集升压、补偿和调谐于一体,具有升压调节平滑连续,结构紧凑等优势,可用于工频耐压试验。阐述了该系统的结构组成与基本原理,并搭建了该试验系统仿真模型,通过研究空载和负载运行特性验证了该系统原理的正确性。     

1Cr18Ni9Ti不锈钢微晶的耐局部腐蚀性能研究

利用磁控离子溅射技术得到bcc结构的1Cr18Ni9Ti不锈钢微晶溅射层,在不同溅射条件下可以得到(110)和(211)两种择优取向的微晶。用电化学方法研究表明,这两种微晶的耐局部腐蚀性能都较正常晶粒有明显提高,且(110)择优取向微晶的耐局部腐蚀性能较(211)择优取向微晶的耐局部腐蚀性能更好。     

基于磁控电感低压电网线电压调节器的研究

为解决低压电网线路中由于电压调节技术原因导致电压畸变,提出了一种新型低压电网线路电压调节器(LVR),并设计了磁控电感元件(MCI)。该元件可以使用一个较小的铁芯,省去了开关元件和其他运动部件,减小了铁损耗和材料损耗。基于MCI设计三相电路模型及实验平台,通过实验与仿真结果,对比电压的变化和效率均达到预期结果,验证了具有电压的无极调节功能和高鲁棒性,使得该器件可以用于低压电网电路的调节,为今后电压调节器的进一步研究提供参考。     

工艺参数对射频磁控溅射PTFE靶形成的等离子体组成的影响

采用四极质谱仪测量了试验参数对高压脉冲增强射频磁控溅射PTFE靶等离子体气氛的影响规律。结果表明：增加脉冲偏压、脉冲频率、脉宽、射频功率和气压能提高Az离子对PTFE靶的溅射能力，增加空间中氟碳自由基的数量，其中各参数对峰位位于25．0aum处的氟碳自由基强度影响最大：脉冲电压从10kV提高到20kV能将该峰强度提高2倍；脉宽从40s提高到100μs强度提高80倍；频率从50Hz提高到200Hz强度提高4倍；溅射气压由0．1Pa提高到0.3Pa强度提高6倍；射频功率由200W提高到400W强度提高6倍。励磁电流能有效的约束氟碳自由基的空间分布。     

氮化铝薄膜的制备及介电性能研究

采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长。AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因。     

磁控反应溅射沉积AlN薄膜的制备工艺

采用反应磁控溅射的技术,利用高纯氮气和氩气混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.通过正交实验,分析了工艺参数与沉积速率的关系.研究了氮气浓度对透过率的影响.实验结果表明:在各工艺参数中靶功率对沉积速率影响最大,靶功率为1.0 kW,氮气浓度控制在25%～35%时薄膜的性能良好,沉积速率为39 nm/min,薄膜在可见光区域平均透过率为90%.该薄膜可以广泛用于光学薄膜和压电薄膜材料.