汕头移动通信枢纽楼的建筑设计

从总体布局、使用功能、建筑造型、建造技术等方面详细地介绍了汕头移动通信枢纽楼的建筑设计,体现了综合考虑功能、经济、美观等因素,并有机地融为一体的设计原则,可供建筑设计人员参考。     

浅谈住宅建筑空间环境的创造

以南方住宅设计为例,论述了住宅建筑空间环境创造的几个特点,探讨了提高住宅建筑室内环境质量的若干问题,总结了住宅设计中的一些经验,增强环境意识,实现住宅建筑为人类造福这一宗旨。     

加工含硫含酸原油的常减压蒸馏装置设备材质升级

国内某炼油厂为适应加工进口高含硫原油要求,对常减压蒸馏装置设备材质进行了升级改造。通过对装置腐蚀状况分析和计算,以加工原油硫质量分数0.5%,酸值0.7 mg KOH/g为设防值,在资金有限的情况下,确定了关键部位材质升级范围。完成近50台设备和超过3 800 m高温管线的材质升级设计,成功实现开车投产。装置稳定运行多年,材质升级后设备和管道腐蚀速率大幅下降,材质升级效果明显。     

溶胶-凝胶法制备Li_xMg_(0.2)Zn_(0.8-x)O四元合金薄膜及其性能表征

采用sol-gel法在载玻片上制备了ZnO薄膜和LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜。利用XRD、SEM、PL、范德堡法以及热探针等测试手段对LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结构性能、表面形貌、光学特性和电学特性进行了表征。研究发现LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜具有ZnO薄膜的结构特性,相对于ZnO薄膜LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结晶性和晶粒尺寸显著提高,并且光致发光强度大大增强。在LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的光致发光谱中出现了紫外发光峰和可见发光峰,紫外发光峰随着Mg/Zn的值的增加向短波长方向移动,可见光的发光强度较紫光峰的强度更强。LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的电阻率约为103～104Ω.cm,并随着Li组分的增加而降低。     

用SIPOS-SiO2复合层对4H-SiC n+pp+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2·实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低.     

基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究

随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。     

SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究

利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性。结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜。     

催化轻汽油选择性加氢及醚化工艺设计

美国Lummus CDTECH公司以CDHDS、CDEthers技术为核心的深度脱硫及醚化组合技术,在国内某炼厂成功实现工业应用,各项技术指标达到专利技术性能考核要求。装置具有良好的操作弹性,可在60%~110%之间灵活调整进料量;轻汽油硫醇硫5 ppm;重汽油硫含量10 ppm;重汽油脱硫率达到99.4%;活性烯烃转化率96%。装置一次开车成功,至今已稳定运行三年。本文介绍了该引进技术及工艺特点,以及详细设计中完善开停工流程、优化热物流利用方式、配合专利设备制造国产化的情况。     

碳化硅材料在微电子机械系统中的应用

碳化硅材料包括单晶碳化硅、多晶碳化硅、无定形碳化硅等,由于其显著的材料特性,如耐热、耐磨、化学惰性和高硬度等,近年来在微电子机械系统(MEMS)领域受到越来越多的关注。应用特定的工艺条件将碳化硅材料制成MEMS器件,可以在某些特殊条件下使用,克服了常规材料本身的局限性,从而为碳化硅材料的应用开发了新的领域。追踪这一国际热点研究问题,针对以上几种不同形态材料,分别举例说明了它们在MEMS领域应用的进展情况。     

一种新型二元判定图器件和电路

提出了一种基于二元判定图(BDD)原理的新型逻辑器件和电路.BDD器件以电流模式的开关电流存储器为基本单元,具有符合二元判定图的两向通路的特点.用这种器件按照BDD树形图可以构成任意形式的组合逻辑电路.给出了或门、异或门及四位加法器电路的例子,并使用HSPICE仿真器进行了仿真,验证了这种器件及其电路的正确性.