排序方式: 共有71条查询结果,搜索用时 171 毫秒
11.
12.
13.
介绍了一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC。该电荷读出IC可提供64个通道,将探测器电荷转换成模拟电压。电路由电荷放大器增益控制、增益电容阵列、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列和采样保持放大器等组成,具有低噪声、14位动态范围等特性。电路芯片采用0.8μm标准CMOS工艺制造,芯片尺寸为3.1mm×10.9mm。电路在3.3MHz频率、5V电源电压和3.5V参考电压下工作,电路功耗为45mW。测试结果表明,在电荷放大器增益电容为0.5pF和光电二极管结电容为33pF下,电路的输出噪声达到600μV(Vrms)。 相似文献
14.
Using the multiple-parameter Monte Carlo method, the effectiveness of the dual threshold voltage technique (DTV) in low power domino logic design is analyzed. Simulation results indicate that under significant temperature and process fluctuations, DTV is still highly effective in reducing the total leakage and active power consumption for domino gates with speed loss. Also, regarding power and delay characteristics, different structure domino gates with DTV have different robustness against temperature and process fluctuation. 相似文献
15.
低功耗、高性能多米诺电路电荷自补偿技术 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种电荷自补偿技术来降低多米诺电路的功耗,并提高了电路的性能.采用电荷自补偿技术设计了具有不同下拉网络(PDN)和上拉网络(PUN)的多米诺电路,并分别基于65,45和32nm BSIM4 SPICE模型进行了HSPICE仿真.仿真结果表明,电荷自补偿技术在降低电路功耗的同时,提高了电路的性能.与常规多米诺电路技术相比,采用电路自补偿技术的电路的功耗延迟积(PDP)的改进率可达42.37%.此外,以45nm Zipper CMOS全加器为例重点介绍了功耗分布法,从而优化了自补偿路径,达到了功耗最小化的目的.最后,系统分析了补偿通路中晶体管宽长比,电路输入矢量等多方面因素对补偿通路的影响. 相似文献
16.
本文提出了伪准确计算的概念。集成电路规模的扩大和制造工艺中不断增加的缺陷给大规模集成电路的测试和验证带来巨大的压力。针对故障容忍度(Fault Tolerance,FT)的研究是缓解测试和验证压力的有效方向。传统的错误容忍度的研究和相关的电路设计主要通过冗余的可替换电路实现无错误电路(有时只针对特定目标程序)。本文通过重新定义“准确”,提出了伪准确定义的概念,并通过创新的冗余电路结构实现。示例电路为冗余伪准确反相器。本文通过伪准确反相器与三模冗余(triple-modular redundancy TMR)和双备用(two spares)等FT技术的比较,给出伪准确计算的实现原理、误差积累分析。示例电路的仿真和分析表明伪准确计算在缩减测试成本和提高系统可靠性方面有潜在的价值。 相似文献
17.
18.
提出了一种基于射频识别系统的改进的自适应时隙Aloha(IDFSA, improved dynamic framed slotted Aloha algorithm)算法.在RFID系统的设计阶段完成了对应答器的分组,并对分频后的实时时隙数进行了优化.介绍了此算法在实际超高频射频识别系统中的应用.取代了传统的估算和实时分组方法,提高了系统效率,使碰撞率下降了2.67倍,从而有效地提高了信道的利用率,解决了时隙数随应答器数增加而指数增长的问题.通过实际系统433/868/915的实现,验证IDFSA算法的简单有效性. 相似文献
19.
20.
以设计输出电流为700 mA,静态电流为50μA,芯片面积为1.5 mm×2.0 mm的LDO线性稳压器为目标,提出的LDO电路利用基准电路的输出直接作为芯片的输出,用基准电路所固有的跨导放大器对输出进行检测并反馈至单级放大器,放大后输出至功率管的基极,控制功率管输出额定的电压和电流。无需冗余的误差放大器,使得环路补偿极为简单,不存在传统LDO的补偿难题。在电路上把传统LDO电路所需各个模块的功能糅合到了一个较为简单的电路中,大大减小了芯片面积,并且减小了静态电流。对电路进行了仿真分析并采用2μm 36 V Bipolar工艺生产实现,流片后的测试结果表明该芯片实现了大电流,微功耗,小体积的特性。 相似文献