一种零电压转换有源功率因数校正电路的研究

提出了一种基于UC3854的零电压转换有源功率因数校正(ZVT-APFC)的控制电路实现方案,介绍了ZVT电路工作原理,着重分析了由分立元件构成的辅助开关管的驱动电路,通过实验证实了驱动电路的稳定性和可靠性,并通过效率比较验证了ZVT-APFC电路的优良性能。与采用UC3855的电路相比,该电路方案具有简单、可靠、成本低等优点。     

MCM-41掺杂Cr对正己醇催化活性的影响

合成了掺杂不同Cr含量的Cr-MCM-41分子筛,采用XRD、FT-IR等手段对催化剂进行了表征,并考察了它们对正己醇催化氧化性能的影响.结果表明,掺杂适量的Cr,可使正己醇的转化率达到48%,正己酸的选择性达到83%.Cr的掺杂量、反应温度、催化剂用量等条件对该催化反应均有一定影响.适量杂原子的掺杂不会破坏MCM-41分子筛的结构.     

PURE射孔技术在渤海油田试验应用分析

针对PURE射孔技术的工艺原理和技术特点进行阐述，分析了工具的结构原理和技术参数的选择，利用该射孔技术在试验井上进行了成功应用。现场实践证明，在低渗透油层使用该项技术能够达到很好的效果。该项技术具有安全、环保、高效等特点，能够满足一次多层射孔的大规模完井作业要求。     

氟塑料—石墨板式换热器在高温强腐蚀换热工况中的应用

通过氟塑料－石墨板式换热器在化纤生产中高温强腐蚀换热工况中的实际应用，并与常规换热器的使用情况的对比分析，阐述了这种新型换热设备的特点。     

盐浓度对交联聚合物线团形态的影响

用核孔膜过滤法 (过滤体积对过滤时间作图 )、动态光散射法 (DLS)和扫描电镜法 (SEM )研究了交联反应前后盐 (NaCl)浓度变化对低浓度HPAM与AlCit形成的交联聚合物溶液 (LPS)中交联聚合物线团 (LPC)形态的影响。所用HPAM相对分子质量 1.1× 10 7～ 1.4× 10 7,LPS中HPAM与Al的质量比 2 0∶1,HPAM浓度 0 .1或 0 .2 g/L ,交联反应温度 40℃ ,时间 7天。实验结果表明 :①LPC的平均水力半径Rh(DLS测定值 )随交联反应时盐浓度的增大先减小后增大 ,盐浓度由 0 .5 g/L增加到 2 g/L时Rh 由 45 0nm迅速减小到 2 5 0nm ,盐浓度增加到 2 0 g/L时Rh达到最小值 16 0nm ,此后随盐浓度的继续增加Rh 有所增大 ;盐浓度 0 .5和 2 .0 g/L时Rh 的SEM测定值分别为45 0和 2 5 0nm ,与DLS结果一致。②交联反应完成后改变LPS的盐浓度 ,也可改变LPC的Rh 值 ,但改变幅度较小 ;盐浓度 0 .5 g/L时形成的LPS ,当盐浓度增加至 2 g/L时 ,Rh 值由 45 0nm减小至 35 9nm ,大于盐浓度 2 g/L时形成的LPS的Rh 值 (2 46nm) ;盐浓度 2 g/L时形成的LPS ,当盐浓度减少至 0 .5 g/L时 ,Rh 值由 2 46nm增大至32 6nm ,小于盐浓度 0 .5g/L时形成的LPS的Rh 值 (4 5 0nm)。用盐浓度改变引起LPC水化层厚度改变 ,线团收缩或舒张解释盐浓度改变时Rh 测定值的     

声光效应拉曼-内斯方程矩阵级数解法及声光调制器优化设计

提出一种求解正常声光相互作用拉曼 内斯 (Raman Nath)方程的矩阵级数解法 ,该解法直观方便且具有普遍性。计算结果表明 ,对Q =4 1π ,Bragg衍射的效率只有 97 5 % ;对非对称入射 ,以往的Raman Nath近似解误差较大 ;指出提高Bragg衍射效率的有效途径在于提高声光频率比并给出计算声光器件最优长度的计算公式。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.     

A study on the growth curve of and maximum profit from layer-type cockerel chicks

Attacks by adult stages of the soft tick Argas (Argas) neghmei (Acari: Argasidae) on inhabitants of the High Andean plateau of Argentina are reported. This is the first local report of this species, which was previously found in the north of Chile. Taxonomic differences between A. (A.) neghmei and other neotropical and exotic species of the genus are underlined. The status of the knowledge about the Argentine argasid fauna is briefly described.     

A2弯曲振动变幅杆的设计

按照一般的变幅杆设计理论，超声弯曲振动变幅杆的设计将会非常复杂，为满足工程上的需要，我们在本文中给出一种简单的近似有效的弯曲振动变幅杆的设计方法，并以纯弯曲理论来分析其放大倍数，在考虑了转动惯性及剪切形变的影响后，还阐述了更精确的设计理论，通过实验发现实测的变幅杆谐振频率很接近于理论设计值     

废钢铁代用品

优质钢材的冶炼和高水平操作指标的获得需要优良的原料作保证。直接还原铁，碳化铁和脱碳粒铁作为废钢铁代用品，已显示出其价格和品质上的优越性，并弥补了废铁数量的不足，但因其各有自身的特点，故研究其理化性质和使用性能，将为大规模生产和使用创造必要的条件。