CAD系统中产品设计三维实体建模方法的研究

三维建模是应用CAD系统进行产品设计的重要步骤。现在市场上已有不少的CAD系统，但是不同系统中的三维建模方法却是基本相同的。在这些三维建模的方法中，往往对用户施加了许多的限制，使得用户无法建立复杂的三维实体。笔者提出了一种新的三维建模方法－折叠法，应用这种方法的概念和原理，可以开发出先进的三维建模CAD系统。折叠二维平面图形构成三维实体是作者提出的一种新概念。     

土壤固化剂在渠道防渗工程中的应用

土壤固化剂在渠道防渗工程中的应用在国内尚属首次，其主要工序为将土壤固化剂与土壤充分搅和形成固化土，采用专用砌块成型机将固化土制成砌块，用于渠道防渗，技术可靠、工程造价低，具有良好的性能价格比。     

超强吸水树脂的吸水性能研究

对自制的超强吸水树脂的吸收性能进行了研究，分别考察了吸水树脂的粒径，溶液的pH值，几种离子如Na^ ,K^ ,Ca^2 ,Mg^2 等的水溶液对吸水树脂吸收性能的影响。实验结果表明，在pH为6－8，树脂粒径为100mesh-120mesh时，树脂的吸水性能最好，各种离子对吸水树脂吸收性能的影响大小顺序为：Na^ ＜K^ ＜Mg^2 ＜Ca^2 。     

用保护共沉淀法制备纳米ZrO2(Y2O3)粉体

用Tween-80保护共沉淀法制备了ZrO2(Y2O3）纳米粉体，用差热分析，热重分析，X射线衍射及透射电子显微镜等技术研究所了粉体的特征，结果表明：在700℃燃烧0.5h后ZrO2(Y2O3)粉体的平均粒径为3－9nm，比表面为128.5-134.5m^3g^-1,在1250℃煅烧8h后ZrO2(Y2O3)粉体已完全形成了立方相的ZrO2L大溶体，并且有非常好的烧结性能。     

碱对AlMCM-41介孔分子筛合成的影响

分别用NaOH和TEAOH合成了AlMCM 4 1介孔分子筛 ,用XRD、2 7AlMASNMR、SEM、TEM、IR、N2 低温吸附和TG DTA对样品进行了表征和比较。结果表明 ,TEAOH和NaOH对AlMCM 4 1有序结构的影响不同。当硅铝原子比为 2 5或 5 0时 ,用NaOH合成的样品有序性较高 ;而当硅铝比为 15时 ,用TEAOH合成的样品有序性较高。交换成氢型AlMCM 4 1后 ,当硅铝比为 2 5或 15时 ,用TEAOH合成的样品抗水解性能优于用NaOH合成的样品 ,其酸量也较大。用TEAOH合成的样品粒度小 ,比表面积、孔径和孔体积都大于用NaOH合成的样品     

球磨机衬板材料及热处理工艺

对传统的中碳低合金耐磨铸钢的化学成分和热处理工艺进行了优化设计 ,使新材料具有较高的强度、硬度和韧性 ,因而抗冲击、抗疲劳、抗磨损性能良好。实际应用表明 ,用此种材料代替油淬和风冷中碳低合金耐磨铸钢 ,不仅生产成本低 ,而且在矿山、电力球磨机制粉等工矿条件下 ,其使用寿命长     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

车载激光雷达探测低层大气中NO_2

在北京城区和城郊利用第二代车载测污激光雷达(AML-2)进行了外场测量实验,利用差分吸收技术从垂直、水平方向分别给出了低层大气中污染物NO2的典型测量数据。结果表明:城区的NO2浓度明显高于城郊地区的水平,并且也证实了利用该系统可以有效地监测低层大气的污染情况,为空气中有害气体的光学遥测提供了有效的测量手段。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

光刻技术及其新进展

介绍了用于制作半导体集成电路的光刻工艺的概念、分类及发展过程，阐述了当前光刻工艺的主流，并重点介绍了极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻、离子束光刻、纳米图形转印等下一代光刻技术的特点及其面临的挑战。