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动静载荷耦合作用下岩石破碎理论分析及试验研究 总被引:4,自引:1,他引:4
根据压头侵入岩石的断裂特征,确定了动静载荷耦合侵入岩石过程中所形成的中间、径向和侧向裂纹长度与侵入载荷、冲锤质量和冲击速度关系式,分析了冲击–静压切削组合破岩模式下冲击间距(频率)对破岩效果的影响。在自行研制的动静态多功能岩石破碎试验台上,以花岗岩为试验对象分别进行了动静耦合载荷侵入岩石试验和冲击–静压切削破岩试验。结果表明:组合载荷模式能大幅度提高破岩效果,冲击间距与切削深度之比值对破岩比能耗有很大影响,并且存在最优比值可使破岩达到最佳效果;合理的加载方式应是冲击载荷使岩石产生足够大的开裂区,再与之匹配适当的静压和切削力将开裂区岩石切削下来;大冲击能、高冲击频率、小冲击间距对于破碎脆性硬岩有较好的效果。 相似文献
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利用低压MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了GaN,用离子注入法掺入Mg杂质,退火后,进行光致发光测量,观察到显著的蓝光发射和黄带发射.光谱分析给出了与注入Mg离子相关的GaN禁带中能级的精细结构,其中: 间位Mg(Mgi)能级(导带下170meV)到替位Mg(MgGa)受主能级(价带上250meV)的跃迁产生了415nm发光峰; 该能级到价带上390meV能级的跃迁,以及带有紧邻N空位的替位Mg(MgGaVN)能级(导带下310meV)到 MgGa受主能级的跃迁,均产生了438nm发光峰.另外,退火使GaN晶格结构部分恢复,再现了黄带发射. 相似文献
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氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光 总被引:2,自引:2,他引:0
利用低压MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了GaN,用离子注入法掺入Mg杂质,退火后,进行光致发光测量,观察到显著的蓝光发射和黄带发射.光谱分析给出了与注入Mg离子相关的GaN禁带中能级的精细结构,其中: 间位Mg(Mgi)能级(导带下170meV)到替位Mg(MgGa)受主能级(价带上250meV)的跃迁产生了415nm发光峰; 该能级到价带上390meV能级的跃迁,以及带有紧邻N空位的替位Mg(MgGaVN)能级(导带下310meV)到 MgGa受主能级的跃迁,均产生了438nm发光峰.另外,退火使GaN晶格结构部分恢复,再现了黄带发射. 相似文献
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GaN材料p型掺杂 总被引:2,自引:0,他引:2
近几年来 ,Ga N材料生长和器件制备都获得了巨大进展。 Ga N基蓝光 L ED和 L D相继研制成功并进入市场 ,更加推动了 Ga N材料的发展。目前 Ga N器件发展主要的障碍在于背景载流子 (电子 )浓度太高 ,p型掺杂水平低。背景载流子可能与 N空位、替位式 Si、替位式 O等有关。p型掺杂 (主要是掺 Mg)方面 ,H补偿受主 Mg,使掺 Mg的 Ga N成为半绝缘。经过低能电子束辐照( L EEBI)或快速热退火 ( RTA)处理后 ,部分 Mg可以被激活 ,空穴浓度可达到 10 18cm-3,但仍然不能很好满足器件需要 ,这可能与 Mg较高的电离能 (约 2 50 me V)有关。其它掺杂剂也在研究中。理论上 ,Be的受主电离能只有 60 me V,可能是比较好的掺杂剂。文中系统研讨了 Ga N材料 p型掺杂遇到的问题及其相关机制。 相似文献
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The enhancement mode GaN metal-insulator-semiconductor field effect transistor (E-MISFET) is successfully fabricated on a GaN/A1GaN/GaN double heterojunction structure with SiO2 as the insulator layer. The enhancement mode DC characteristics have been first achieved in the device with the gate-length of 6μm,10μm and gate-width of 100μm. The device with gate-length of 6μm shows the DC transconductance of 0.6 mS/mm and the maximum drain-source current of 0.5mA. The gate leakage current is lower than 10-6A at the bias of -10V while the gate breakdown voltage is higher than 20V. This result proves the presence of a piezoelectric field in the heterojunction,the strongly asymmetric band bending and the carriers distribution caused by the piezoelectric field. 相似文献
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采用高温固相反应法制备了一系列Li~+掺杂的(ScLu)VO_4:Eu~(3+)荧光粉。表征了样品的结构、形貌、红外光谱及荧光性能。结果表明:Li~+掺杂没有改变样品原有的四方晶系体心结构,Li~+以替代掺杂和间隙掺杂的方式进入主晶格,适当的Li~+掺杂可以改善样品的团聚现象,减少高声子能量的杂质基团(OH~-,CO_3~(2-))和荧光淬灭中心,从而增强样品发光。样品具有200~500 nm的宽带激发,在330 nm激发下,发射620 nm波长的窄带红光,归因于Eu~(3+)的~5D_0→~7F_2跃迁。与Sc_(0.88)Lu_(0.05)VO_4:Eu_(0.07)~(3+)样品相比,掺杂Li~+样品的发光强度明显增强,随着Li~+掺杂量的增加,5D0能级的荧光寿命呈现先增加后减小的趋势。当温度升高至200℃时,Sc_(0.82)Lu_(0.05)VO_4:Eu_(0.07)~(3+),Li_(0.06)~+样品的发射强度仍保持在25℃时的73%。 相似文献
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