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71.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
72.
研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97.65%SnO2 O.75%Co2O3 0.10%Nb2O5 1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22.2)和最高的势垒(ψB=0.761eV).当CdO的摩尔分数从0增加到3%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V/mm增大到556V/mm,1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。 相似文献
73.
设计了一个多通道逐次逼近型结构的10 bit 40 Ms/s模数转换器(ADC).由于采用时间交叉存取技术,提高了整个芯片的转换速度,同时通过运用比较器自校准和电容自校准结构,提高了整个电路的转换精度.本芯片采用Chart 0.25μm2.5 V工艺,版图面积为1.4 mm× 1.3 mm.40 MHz工作时,平均功耗为33.68 mW.输入频率19.9 MHz时,信号噪声失真比(SINAD)为59.653 3 dB,无杂散动态范围(SFDR)为74.864 6 dB. 相似文献
74.
75.
介绍了新型埽工——笼埽的结构形式、施工方法,其优点为:(1)克服传统埽工施工工序复杂、速度慢、效率低的缺点;(2)笼埽可工厂化生产,减少现场作业工序和作业面后移;(3)充分利用大型施工机械进行大体积单个笼埽结合机械化施工,作埽速度快、强度高;(4)减少柳料用量,利于环境保护.结合在兰考蔡集控导工程水中进占工程中的应用,从施工准备、机械配合与人员安排及施工流程等方面对笼埽施工技术作进一步说明,并总结了施工注意事项.最后,进行了效益评价并提出了扩大技术应用范围和进行水槽实验的完善思路. 相似文献
76.
设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和. 相似文献
77.
78.
HLA-DRB1等位基因主要参与人类的抗原免疫功能,对其进行比较研究,有助于追溯人类的进化迁移史,开发类群特异性药物.本研究以Matlab为平台,用自组织竞争网络(Self-Organizing Competitive Neural Network),对世界54个民族和人群、14个HLA-DRB1等位基因,进行了无监督模式分类.结果表明,各民族之间存在差异性,同民族的各人群之间有相似性.西伯利亚各人群,澳洲各土著人群,黑人各人群,南美印第安各人群,犹太族各人群,日本各人群,及欧美白人各人群有相对独立性:南美印第安人与西伯利亚人有高度相似性;中国民族在南方人群和北方人群间存在较大差异;中国汉族中,广东汉族地位特殊,与少数民族如拉祜族、瑶族关系密切. 相似文献
79.
80.