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中国石化海南炼化8万吨/年硫磺回收装置于2006年5月投产,为进一步提高海南炼化硫回收能力,本文研究了利用空分装置排放大气的污氮与空气混合配比成氧含量28%的富氧空气进制硫炉燃烧,降低炉头压力、提高硫回收能力的可行性研究。经理论核算,装置改造后酸性气处理量比现生产能力可提高22%,硫磺日产量可提高50吨。 相似文献
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轴承在工业发展中是以零部件的形式存在的,在机器的运行中,基本上都会用到大大小小的轴承,那么对于在精度要求较高的轴承运转中,需要轴承的游隙较小,这样才能更好的发挥轴承的功能。在对轴承的游隙进行调整阶段是在轴承的装配阶段,还有一道工序是对轴承进行顶紧工作,这些工作都是轴承的游隙进行的调整,对轴承游隙进行合理的调整,是需要用到一定的方式方法的,本文将针对轴承游隙的调整做出相应的阐述。 相似文献
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介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。 相似文献
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SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development. 相似文献
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春种秋收,对于3-D图形芯片厂商同样也不例外,他们在辛勤耕作。推陈出亲的同时也期盼着来自市场的丰厚回报。去年秋天,ATI公司凭借研发代号为R300的Radeon 9700 Pro图形处理器幸运地收获了该年度最丰盛的果实,尽管这一结果令许多人都多少感到有些意外,但Radeon 970 Pro的确是一款令人印象深刻的产品。全新的设计思路以及当时领先的图形技术与规格使其在广泛的测试中均能以绝对优势胜出,自此市场格局也发生了许多微妙的变化。 相似文献