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大型储罐底板焊接及变形控制是保证储罐整体施工质量的关键环节,采用碎丝填充的焊接方法可以防止变形,同时可以有效地避免应力集中,提高施工质量。文章介绍了碎丝埋弧焊的原理、工艺参数和焊接方法。实践证明,填充碎丝不仅是一种减小底板焊接变形的手段,同时可以充分利用焊接热能,节约焊接时间和焊剂用量,经济效益好,是一种值得推广的技术。 相似文献
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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97.65%SnO2 O.75%Co2O3 0.10%Nb2O5 1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22.2)和最高的势垒(ψB=0.761eV).当CdO的摩尔分数从0增加到3%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V/mm增大到556V/mm,1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。 相似文献
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介绍了新型埽工——笼埽的结构形式、施工方法,其优点为:(1)克服传统埽工施工工序复杂、速度慢、效率低的缺点;(2)笼埽可工厂化生产,减少现场作业工序和作业面后移;(3)充分利用大型施工机械进行大体积单个笼埽结合机械化施工,作埽速度快、强度高;(4)减少柳料用量,利于环境保护.结合在兰考蔡集控导工程水中进占工程中的应用,从施工准备、机械配合与人员安排及施工流程等方面对笼埽施工技术作进一步说明,并总结了施工注意事项.最后,进行了效益评价并提出了扩大技术应用范围和进行水槽实验的完善思路. 相似文献
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MPEG-4是动态图像专家组(MPEG)标准家庭中的一员,是国际化标准组织为多媒体通信制定的一种解决方案。介绍了MPEG-4支持的新功能和特点,并阐述了MPEG-4的关键技术,在此基础上对MPEG-4在视频点播业务中的应用问题进行了探讨。 相似文献
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设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和. 相似文献
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集成电路的现状及其发展趋势 总被引:5,自引:0,他引:5
集成电路是信息社会经济发展的基石。通过对集成电路发展规律的分析,从集成电路的设计、制造、新产品研发和市场动态等方面,描述了集成电路的最新动态;探讨了集成电路的发展趋势;指出集成电路与其它学科、技术的结合,不断形成新的研究方向;新材料、新结构、新器件不断涌现,特征尺寸继续缩小,摩尔定律仍然起作用。 相似文献