惰性多孔介质内天然气预混燃烧的数学模拟评述

天然气在惰性多孔介质内的预混燃烧是一个包含燃烧、辐射、对流及导热的复杂过程，从数学模拟的角度，比较了几种不同的甲烷-空气化学反应模型，研究了多孔介质内辐射传递方程的不同求解方法，并且分析了多孔介质的导热系数、对流换热系数等对燃烧器性能的影响。     

使用自制MOCVD系统外延高质量GaN基LED材料

A homemade 7×2 inch MOCVD system is presented.With this system,high quality GaN epitaxial layers,InGaN/GaN multi-quantum wells and blue LED structural epitaxial layers have been successfully grown. The non-uniformity of undoped GaN epitaxial layers is as low as 2.86%.Using the LED structural epitaxial layers, blue LED chips with area of 350×350μm~2 were fabricated.Under 20 mA injection current,the optical output power of the blue LED is 8.62 mW.     

高温铝熔液在旋转多孔介质内的渗透与瞬态固化和再熔过程

针对离心渗铸板材工艺中金属铝熔液在旋转的Al₂O₃预型体内的充型过程,考虑离心惯性力对金属铝熔液的瞬态固化与再熔过程的影响,研究了伴随有瞬态固化和再熔现象的流场温度分布以及熔融区长度和固化率瞬态变化规律,推导了渗透界面和再熔界面移动速度计算公式,建立了界面速度与温度的耦合关系。结果表明:当Al₂O₃颗粒预热温度低于铝熔化温度时,渗透过程出现了瞬态固化和再熔现象,液固共熔区随渗透过程不断向前推进,共熔区长度和固化率随渗透过程而增长。随着孔隙率和转速的减小,共熔区内固化率提高,渗透前沿和再熔前沿界面移动速度减小。但孔隙率的减小使两种界面移动速度差值增大,液固共熔区长度增长;而转速的减小使两种界面移动速度差值缩小,液固共熔区长度缩短。     

离心渗铸金属铝熔液的瞬态固化与再熔

通过分析离心力场中金属铝熔液在Al2O3短纤维多孔介质内的渗流传热，考虑了离心惯性力对铝熔液的瞬态固化与再熔的影响，建立了旋转多孔介质内的渗流传热理论模型．研究了复合管铸造工艺中不同工况下液固共融区的长度和固化率的瞬态变化规律以及流场压损的分布规律．结果表明：在Al2O3颗粒的预热温度低于铝熔化温度的条件下，当渗透前沿达到一定深度时出现液固共融，随后液固共融区随渗透过程而增长，固化率逐渐提高．随着孔隙率的减小，液固共融区的长度和固化率增大，出现共熔现象的固化率降低，复合层能达到的最大厚度减小．而随着转速的减小，液固共融区长度缩短，共熔区内的固化率水乎提高，出现共熔现象的固化率增大，复合层能达到的最大厚度减小。     

旋转锥体床内颗粒传输规律的实验研究

该实验针对旋转锥体床,研究颗粒在锥体内的输运规律。探讨锥体旋转速率、颗粒给料速率、锥体溢流口数量等参数变化时,对颗粒在锥体内的动态存料量以及停留时间的影响。结果表明,旋转锥体床具有控制物料输送和调节停留时间的可操作性,增设竖立环壁将大大延长颗粒在锥体的停留时间,而搅拌器的设置对于保证颗粒在锥体内的充分混合起着关键作用。在设置竖立环壁和搅拌器的情况下,锥体内的动态存料量与给料速率成正比,而与锥体旋转速率反比;停留时间与锥体旋转速率和给料速率成反比。增加溢流口面积,将缩短颗粒停留时间和降低锥体内的存料量。研究结果对于设计新颖的煤热解气化炉以及开发以固体热载体热解气化为基础的多联产技术具有一定的参考价值。图10参8     

电站凝汽器内流场和传热的准三维数值计算程序PPOC3.0的开发研究

采用多孔介质的物理概念，应用现代最新数值计算方法，编制出一套基于WINDOWS的用预测凝汽器内流场与热负荷分布的通用准三维数值计算程序PPOC3.0。应用于大量电站凝汽器的数值分析。获得了较为满意的结果。图1表1参9     

MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究

用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活.     

在TMD和耗能器联合工作情况下高层建筑的随机风振控制研究

风荷载是一个随机过程，在高层建筑设计中，当一种被动控制装置不能很好地满足控制设计要求时，采用多种被动控制装置联合工作是一种可能的解决办法。本文提出的结构控制是一个系统控制概念，运用被动控制的传递函数算法，分析研究了在ＴＭＤ和耗能器联合工作情况下，高层建筑位移和加速度响应的减振系数。     

采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌

针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.     

双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜

采用双能态Cr+注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD,SQUID和Hall法对3种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓度的大小有关,n型和p型GaN样品注入Cr+后形成GaGrN薄膜的饱和磁化强度均显著大于非有意掺杂的样品.