不同衬底上沉积硅薄膜的固相晶化研究

本文用电化学腐蚀方法制备了多孔硅,并在多孔硅、石英、单晶硅片上用PECVD沉积了本征和P型硅膜,然后将硅膜分别用不同的温度和时间做固相晶化,借助Raman、SEM和XRD等手段对退火前后的硅薄膜微结构进行了分析研究。结果表明：单晶硅和多孔硅衬底上的非晶硅薄膜比石英衬底上的更容易晶化;具有硅晶格的衬底可以明显地起到种晶的作用,在一定条件下可以生长出晶格取向一致的硅膜。     

基于DS1624传感器的温度测试系统的研究

本文介绍了利用数字式温度传感器DS1642组成温度测试系统,该测试系统具有组成简单,测试范围广,精度高等,符合温度测试系统的各方面要求,且与计算机接口能为测试提供周期更长的测试。针对数字温度传感器DS1642的温度滞后性,利用动态补偿方法进行了研究。     

基于FPGA的电荷测量系统设计

介绍了一种基于FPGA的电荷测量系统.该系统具有并行、高速、高精度的数据处理能力.系统输入信号首先经过模拟调理电路放大、成型、滤波,然后送给ADC进行采样,采样后的数据送到FP-GA内部进行处理,最后通过USB总线传送到上位机.系统设计主要包括前端模拟信号的调理部分、ADC模数转换部分,FPGA处理和USB接口部分.最后给出了整个系统的测试结果.     

一种多电平逆变器及其并网策略

近来单相多电平逆变器由于自身的优点得到了广泛的关注。本文介绍一种新型采用二极管的2N-1级联叠加式多电平逆变器,以采用二极管2N-1级联叠加式15电平逆变器为例,提出用单相空间矢量调制(SVPWM)技术实现逆变并网。并网参考电流的相位和频率由电网电压的相位和频率得到,幅值由参考功率决定,系统加入电流瞬时反馈和PI控制器来实现单位功率因数并网,在MATLAB/SIMULINK环境下建立模型进行仿真,并计算不同参考功率时的并网电流谐波畸变率。结果表明并网功率因数高,电流谐波含量少,为实际应用提供了理论依据。     

快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究

为了制备应用于太阳电池的优质多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术。先利用 PECVD 设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,用电导率设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光热退火前先用常规高温炉预热有助于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗电导率。     

O型口蹄疫病毒衣壳蛋白VP1的可溶表达及抗原活性鉴定

口蹄疫(Foot-and-mouth Disease, FMD)是由口蹄疫病毒(Foot-and-mouth Disease Virus, FMDV)引起的急性、高度传染性疾病，一旦大规模爆发会给畜牧业造成巨大的经济损失。接种灭活病毒疫苗是目前防控口蹄疫的最有效手段，但传统灭活疫苗存在病毒逃逸、生产成本高等诸多局限。重组亚单位蛋白疫苗免疫原性好且安全性高，是发展新型口蹄疫疫苗的重要方向。口蹄疫病毒结构蛋白VP1因含主要抗原表位，而成为口蹄疫亚单位疫苗及诊断试剂的开发热点。与真核系统相比，原核表达系统生产周期短、易于放大生产、成本低廉，更适于动物疫苗的开发，但VP1采用原核系统表达会形成无活性的不溶包涵体。本工作中首次同时融合小分子泛素相关修饰物(Small Ubiquitin-related Modifier, SUMO)和RNA作用结构域(RNA-interacting Domain, RID)两种助溶标签来实现FMDV VP1 (O型/MYA/98)在原核系统中的高效可溶表达。首先采用PCR (聚合酶链反应)重叠技术，以p ET-28a(+)为载体构建了RID-SUMO-VP1重组...     

a-Si:H薄膜的再结晶技术发展概述

论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术，包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。     

低温快速热退火晶化制备多晶硅薄膜

利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入特制的快速热退火炉中进行退火.利用X射线衍射仪（XRD）分析退火后的薄膜晶体结构,用电导率测试仪测试其暗电导率.研究结果表明,利用快速热退火晶化能够使非晶硅薄膜在较低温度下,在较短时间内发生晶化。     

Indium bump array fabrication on small CMOS circuit for flip-chip bonding

We demonstrate a novel method for indium bump fabrication on a small CMOS circuit chip that is to be flip-chip bonded with a GaAs/AlGaAs multiple quantum well spatial light modulator.A chip holder with a via hole is used to coat the photoresist for indium bump lift-off.The 1000μm-wide photoresist edge bead around the circuit chip can be reduced to less than 500μm,which ensures the integrity of the indium bump array.64×64 indium arrays with 20μm-high,30μm-diameter bumps are successfully formed on a 5×6.5 mm~2 CMOS chip.     

小片CMOS驱动电路的倒装焊In柱阵列沉积

本文研究了在用于GaAs/AlGaAs多量子阱空间光调制器驱动电路小片芯片上进行In柱阵列沉积的方法。使用了带有中央通孔的甩胶套进行甩胶,可以将驱动电路小片上1000um宽的胶边减小至500um,有效保证了沉积In柱阵列的完整性。使用此方法,64x64,20um高,30um直径的In柱阵列能够完整沉积在5mmx6.5mm的CMOS驱动电路上。