低插损同轴型微波介质滤波器的设计

1/4波长同轴谐振器构成的微波介质带通滤波器,具有三个谐振孔、二个耦合孔,谐振器间通过耦合孔相互耦合,材料采用高介电常数微波陶瓷,器件表面涂覆金属电极。讨论了耦合孔半径对滤波器技术指标(中心频率f_0、3dB带宽B、插入损耗L_0、阻带抑制L_A等)的影响,然后根据给定的滤波器技术指标确定了滤波器的类型、结构、级数及尺寸,最后进行了仿真验证,得到了低损耗的带通滤波器。     

硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料.随硅烷浓度的降低,材料晶化率增加,材料的光学带隙在1.5～1.65eV之间,材料的电导率先增加后减小.采用光发射谱测量技术对辉光进行在线测量,研究沉积条件对VHF等离子体和微晶硅材料特性的影响.实验表明,等离子中的SiH*和H*α对微晶硅材料特性有重要的影响,硅烷浓度为2%～4%时,等离子体中H*α/SiH*的比值处于0.6～0.9,可以得到晶化率在40%～55%的微晶硅材料.     

掺杂室沉积本征微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用

在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF—PECVD）技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜．对薄膜电学特性和结构特性的测试结果分析表明：随硅烷浓度的增加,材料的光敏性先略微降低后提高,而晶化率的变化趋势与之相反;X射线衍射（xRD）测试表明材料具有（220）择优晶向．在P腔室中用VHF—PECVD方法制备单结微晶硅太阳能电池的i层和p层,其光电转换效率为4．7％,非晶硅／微晶硅叠层电池（底电池的p层和i层在P室沉积）的效率达8．5％．     

VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究

以SiH4和GeF4为反应气体,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）方法制备了P型微晶硅锗（P-μc-Sil-xGex）薄膜。研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响。随GeF4浓度的增加,薄膜中的锗含量增加,暗电导和晶化率先增加,后减小;在薄膜厚度为72nm,GeF4浓度为4％时,得到了电导率达1．68s／cm,激活能为0．047eV,晶化率为60％,在长波区域的平均透过率超过0．9的P型微晶硅锗。     

基于DTC技术的静止卫星通信抗干扰性能

TDC(Transform Domain Communication变换域通信)技术采用的是躲避式抗干扰方式.在通信中实施干扰躲避,可以有效地避免或降低干扰对通信的影响.文中首先对TDC技术进行了简要介绍,对这一抗干扰技术应用于静止卫星通信系统的可行性和应用方式进行了探讨.仿真表明基于TDC技术的静止卫星通信系统具有抗多种干扰的能力,但由于通信时延,在干扰频率发生变化时,通信的抗干扰能力有所下降.     

湿害胁迫对发芽期芝麻的影响及耐湿性评价方法建立

为研究湿害胁迫对发芽期芝麻的影响,将7份发芽至露白的芝麻材料分别淹水处理3h、6h、9h、12h、15h和24h,继续培养5d后对电导率、死亡率、成苗率等指标进行测定。结果表明,随着胁迫处理时间的延长,电导率和死亡率不断增加,成苗率、根长和活力指数呈下降趋势,畸形苗率表现先升后降;6～12h时,成苗率和简易活力指数急剧下降,说明淹水6～12h是芝麻发芽期湿害的敏感时间段。31份高代品系经淹水胁迫7h、9h和12h后的发芽特性表明,9h处理时各项指标的变异系数明显大于其它时间处理,因此,淹水9h是评价芝麻发芽期耐湿性的适宜时间,相对成苗率可作为主要评价指标。依此方法对222份芝麻种质发芽期耐湿性遗传差异的评价结果显示,极不耐湿的材料70份;不耐湿的69份;中耐43份;耐湿28份;高耐湿的12份,分别为ZZM1501、ZZM2113、ZZM2147、ZZM2208、ZZM3342、ZZM3379、ZZM3410、ZZM4780、ZZM4781、09-P65、辽品芝3号、漯芝15。     

基于ADuC812的发动机快速测试仪的设计

详细介绍了一种基于微控制器ADuC812开发的发动机快速测试仪，实现了发动机启动系统、供油系统、充电系统、动力性能和振动特征的不解体快速测试与诊断，同时给出了测试仪的基本测试原理及其软硬件设计。     

基于Lucene的知识搜索引擎的设计与实现

电力企业有着大量的自有资源,而且越来越成为企业运营的重要支撑。本文通过对Lucene开放源码全文搜索工具包的研究,实现了覆盖全企业资源的知识搜索引擎,为企业建立知识管理支持平台提供了可行的技术解决方案,为企业更有效地利用知识资源提供了有效途径。     

绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用

研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为～12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-U type SnO2作前电极的电池具有同等效果.