SiGe沟道SOI CMOS的设计及模拟

在 SOI(Silicon on Insulator)结构硅膜上面生长一层 Si Ge合金 ,采用类似 SOICMOS工艺制作成具有Si Ge沟道的 SOICMOS集成电路。该电路不仅具有 SOICMOS电路的优点 ,而且因为 Si Ge中的载流子迁移率明显高于 Si中载流子的迁移率 ,所以提高了电路的速度和驱动能力。另外由于两种极性的 SOI MOSFET都采用 Si Ge沟道 ,就避免了只有 SOIPMOSFET采用 Si Ge沟道带来的选择性生长 Si Ge层的麻烦。采用二维工艺模拟得到了器件的结构 ,并以此结构参数进行了器件模拟。模拟结果表明 ,N沟和 P沟两种 MOSFET的驱动电流都有所增加 ,PMOSFET增加得更多一些     

夯实水泥土桩的应用

夯实水泥土桩是指水泥土经均匀伴合后，经成孔分层回填夯实而形成的桩体，具有工期短、造价低、工艺简单等优点，论述了该桩的成桩机理、适用范围及影响桩体质量的因素，并通过实例说明了该桩的处理效果，旨在推广该桩在我省的广泛应用。     

CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.     

由OLED和复合光探测器构成的新型光耦合器

对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃结构的有机/聚合物发光二极管(OLED)为发光器件,以光电二极管和双极晶体管构成的复合光探测器为光接收器件组成的光耦合器进行了实验研究.通过改变OLED上的偏压,获得光耦合器输出特性相应的变化.对实验结果进行了分析讨论.     

东二风井抽风机高压变频调速节能改造方案

介绍了抽风机高压变频调速节能基本原理、东二风井抽风机高压变频调速节能改造方案及改造效果。东二风井抽风机变频调速采用"一拖二"手动旁路方式,采用一台变频器传动两台抽风机电动机中的一台变频运行,另一台工频运行。运行结果表明,该方案的节电率约为62%。     

基于模型匹配的精馏塔产品质量非线性控制

将非线性系统模型匹配问题 (MMP)应用于精馏塔产品质量控制器的设计 ,得到精馏塔的MMP非线性控制器。理论分析和仿真表明 ,该控制器实现了对部分干扰的解耦 ,具有良好的跟踪和调节特性。     

因地制宜,采用磷渣做矿化剂

我厂初建于六十年代,以后又对烧成车间进行过扩建。现有φ2.5×8.5M塔式机立窑两台;φ1.83×6.12M生料磨两台;φ2.2×6.5M水泥磨一台。由于粉磨系统的扩建工作尚未完成,现年产水泥六万吨左右。过去,生产中主要存在的问题是熟料质量不稳定。85年熟料月平均标号439～549kgf/cm~2,年平均标号为490kgf/cm~2;熟料f·CaO波动于4.5～8.0％,年平均6.37％。生产普通硅酸盐水泥常因安定性不合格,影响出厂。为改变上述情况,1986年3月在云南省建材研究设计院的协助下,开始在我厂推广磷渣矿化剂技术。经过半年来的连续生产取得了一定效果。     

自动补偿式活动铅笔补偿力的探讨

自动补偿式活动铅笔是细芯活动铅笔的新一代产品.它具有不用按动能自动补偿书写中被磨损的铅芯.它是如何补偿铅芯?补偿力多少为好?值得我们探讨. 一、自动补偿式活动铅笔性能特点 "自动补偿式活动铅笔",英文为"Automechanical Pencil".我们在收集了市面上国内外12个品牌19种类型共209支相关产品的基础上,对它进行夹铅芯力、补偿性能、补偿力的检测,从大量测量中体会这三个指标的关系,也尝试以量化的数据来表达补偿性能. 自动补偿式活动铅笔属铅笔大类,铅笔分为木杆铅笔和活动铅笔.活动铅笔的出芯方式有坠芯式、旋转式、揿动式、自动补偿式.所以自动补偿式是活动铅笔中的一个新一代产品.它的产生是针对细芯脉动式活动铅笔易断芯和书写中要常按动来补偿磨损的铅芯,因它书写中能自动补偿铅芯,铅芯不用外露,也就不会断芯,所以亦称写不断铅笔.     

晋江燃气电厂工程建设的体会与思考

根据晋江燃气电厂的工程建设实践,从项目前期工作、图纸设备供应、外部环境建设、开展技术攻关、落实备品备件、搞好生产准备、加强安全管理和严格投资控制等方面进行了分析总结工作,提出思考及建议.