硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验

化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术。CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标。文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据,为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据。     

大型板类结构件组焊工艺性分析探讨

在大型矿山、工程机械及型钢生产线设备设计过程中,常常会遇到一些大型、超大型结构件,其底板使用的板材材料多为Q235A,由于底板结构尺寸较大,国标常用的钢板尺寸无法满足要求,若定制相应尺寸板材,则易造成采购成本的提高,不利于提高企业的经济效益。因此,可采用拼接的方式进行加工,     

世界上最快的飞机X-43A

美国宇航局于2004年3月27日创造了航空历史：一架X-43A试验飞机在加利福尼亚州爱德华空军基地进行的试飞中时速达到7700km(约7倍音速),从而打破了喷气式飞机的飞行速度记录，而它的目标时速是Il500km，届时，由美国东岸至西岸只需飞行30min。     

电沉积制备铜基复合镀层的研究进展

兼具工艺成本低、工艺流程简单和工艺柔性好等优势的电沉积技术,是制备单元/多元金属基复合镀层的工艺方法。以电沉积制备铜-非金属化合物复合镀层和铜-金属微粒复合镀层为主题,选取制备工艺、参数条件优化及性能表征等方面作为切入点,分别进行概述。     

工程施工造价管理措施分析

施工阶段的工程造价控制,是实施建设工程全过程造价管理的重要组成部分。加强施工阶段工程造价管理,要加强对材料、设备的采购和管理;优化施工人员的配备;严把变更关,将工程预算控制在概算内;严格现场签证管理,随时掌握工程造价变化;加强投资控制。     

压路机通用铰接架结构改进及焊接工艺

铰接转向装置在铰接式压路机中所起的主要作用是连接前后机身及转向。某型号压路机采用的新型铰接转向装置关键零部件——铰接架的结构如图1所示，原工件毛坯采用ZG230—450材料铸造成形，由于铸造件外观较为粗糙，涂装效果及美观性差，铸件内部缺陷较多以及目前铸件价格较贵、供货周期难以保证等因素，决定将该工件改为钢板焊接件。     

铜化学机械抛光材料去除机理研究

本文根据铜CMP过程中表面材料的磨损行为,建立了铜CMP时的材料去除率构成成分模型,并通过材料去除率实验,得出了各机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率及其作用率:当np=nw=200r/min时,有最佳材料去除率,此时单纯的机械作用率为9.2%;单纯的化学作用率为仅为2.1%,抛光垫的机械与化学交互作用率为5.08%;磨粒的机械与化学交互作用率为83.6%。通过对实验结果进行分析,可得如下结论:硅片化学机械抛光中,一定的参数下有一个最优的抛光速度;在最优的速度下,机械与化学之间交互作用达到平衡,这时可获得最高的材料去除率;硅片化学机械抛光过程是一个多变的动态过程,仅仅通过增加机械作用或化学作用不能获得理想的材料去除效果。本文的研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据。     

数控机床对刀方法

在数控机床加工中,刀具刀位点的运动轨迹自始至终需要在机床坐标系下进行精确控制,但编程尺寸却是按人为的工件坐标系确定的,工件坐标系确定之后,还需要确定刀位点在工件坐标系中的位置,这样,工件坐标系与机床坐标系之间的相对位置关系就确定了,这一过程称为对刀。数控机床加工中经常涉及到对刀问题,对刀问题处理的好坏,直接影响到加工零件的精度和数控机床的操作。我们所说的对刀,包含两方面：一是刀具偏置参数的测量与输入,二是对刀点的确定。     

采用刀具辅助支承法切断实心大直径棒料

1问题的提出 在一些大型建筑机械中,由于机械结构和强度的需要,常常采用一些由大直径（Ф150-Ф200mm）实心棒料制作的工件。在普通车床上进行此类工件的切断加工时,由于工件直径较大,切断刀刀头伸出较长,使得刀具及刀架冈0性降低,切削过程中的振动增大,系统稳定性差,切削困难;刀具磨损及破损加剧,耐用性降低,甚至无法切削。     

基于施工场地布置的工程项目价值优化研究

以价值工程理论为依据,从施工场地布置入手,以减小建筑场地设施之间的价值流和安全隐患为目标,达到优化价值流、减小建筑成本、提高施工安全的目的。文中的场地布置问题被看成是数学中的二次分配问题,并采用了目前运算效率高的蚁群算法进行目标函数寻优,从理论上对场地进行布置,克服了以往单靠项目经理经验布置的弊端。