A 1.65μm three-section distributed Bragg reflector （DBR） laser for CH4 gas sensors

A 1.65-μm three-section distributed Bragg reflector(DBR) laser for CH4 gas sensors is reported.The DBR laser has a wide tunable range covering the R3 and R4 methane absorption line manifolds.The wavelength tunability properties,temperature stability and laser linewidth are characterized and analyzed.Several advantages were demonstrated compared with traditional DFB lasers in harmonic detection.     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器

报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。     

W火焰炉NOx排放试验研究

山西阳光发电有限责任公司1、2号W火焰炉NOx排放浓度较高。通过对1号锅炉几种典型负荷的运行工况进行试验,测定炉膛温度和烟气成分,对测定数据和运行工况进行综合分析,得出该炉NOx排放浓度高的主要影响因素,并针对性地提出改进建议。     

AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器

研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的 1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器 .有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层 .这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制 .当电流通道为 5 μm宽时 ,获得了 12 9mA的阈值电流和 0 4 7W /A的斜率效率 .与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比 ,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了 31 7% ,斜率效率稍微有所提高 .低阈值和高效率的特性表明 ,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制 .这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36 1° ,而水平方向的     

InP和InGaAsP晶体上衍射光栅的刻制技术

采用全息光刻的技术,在InP 和InGaAsP晶体上刻制亚微米衍射光栅,获得较好的重复性和均匀性,并已应用于研制长波长分布反馈激光器.     

宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关

研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80mA的注入电流下,器件的3dB光带宽大于85nm(1520～1609nm).该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1525～1565nm)和L带(1570～1610nm).最为重要的是,在3dB光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0.7dB;光纤到光纤无损工作电流在70～90mA之间;消光比大于50dB.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景.     

利用回毛设计毛混纺花呢

一、前言 近年来,我厂取得了连续八年企业人均创税利行业中夺冠的辉煌成果。“开拓品种,以品种占领市场”这是我们厂夺取“八连冠”的“绝招”之一;“合理使用原料,以经济效益的观念设计市场上畅销的产品”这是我厂设计人员的具体行动。几年来我们设计人员在品种花色上动了脑筋,在原料使用上找了窍门;在工艺设计里下了功夫。我们选用70S外毛,采用最佳的设计参数,纺出了70S/2的毛纱。生产了深受国际市场欢迎的花型精细;色泽高雅,手感滑糯而富有羊绒感的全毛轻薄型产品,扩大了出口,增加了创汇,并获得了纺织部“,匕五”期间优秀新产品“一等奖…     

低温下硅橡胶直流沿面闪络特性研究

为了研究低温下硅橡胶材料的直流沿面闪络特性,在不同的低温环境下,通过采用倒角平头板电极和倒角四分之一圆弧板电极模拟不均匀电场的方法,对不同氢氧化铝含量硅橡胶的直流沿面闪络电压进行了测试。结果表明:在温度为-60～20℃时,随着温度的降低,硅橡胶的直流沿面闪络电压呈线性升高趋势,因此该硅橡胶绝缘材料适用于持续低温环境。     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.