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GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器研究沈学础,陆卫(上海技术物理研究所上海200083)本文所作的研究包括:1.基本物理机制研究在理论上研究了子带间跃迁的基本物理过程,并提出了n型非(100)方向生长的GaAs/AlGaAs材料存在的正入射条件... 相似文献
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报道了非稀土元素Ti部分替代稀土元素Y的Ti_xY_(1-x)Ba_2Cu_3O_(7-y)(x=0.2,0.4)超导体的远红外反射光谱.观察到至少7个声子结构,分别位于136cm~(-1)、154cm~(-1)(或151cm~(-1))、193cm~(-1)、230cm~(-1)、280cm~(-1)、293cm~(-1)和337cm~(-1)(或345cm~(-1)).结果表明,该超导体的能隙值2⊿≈198cm~(-1),对应2⊿/k_BT_C≈3.4.还对声子结构的物理起因作了探讨. 相似文献
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采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光. 相似文献
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应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。 相似文献
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在0~42kbar范围内测量了CdTe的吸收边随流体静压力的漂移。在33~35kbar之间,观察到一个结构相变,在此后直到42kbar范围内,在5800~25000 cm~(-1)之间不再能测到吸收边,从吸收边形状可以判断:闪锌矿结构的CdTe的最小能隙在T点,即为直接禁带。吸收边随压力向高能方向(蓝移)的移动速率为dE_g/dP=6.85×10~(-3) eV/kbar。 相似文献