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81.
利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件,研究分析了三种不同结构的槽栅型1 200 V SiC MOSFET单粒子响应特性,器件包括传统单沟槽MOSFET、双沟槽MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构。仿真结果表明,双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件。通过分析可知,双沟槽MOSFET结构的优越性在于有较深的源极深槽结构,有助于快速收集单粒子碰撞过程产生的载流子,从而缓解大量载流子聚集带来的内部电热集中,相比其它两种结构能有效抑制引起单粒子烧毁的反馈机制。  相似文献   
82.
在制作模型的过程中,许多模型爱好者都遇到过与模型配套的模型兵人。目前,在市场上还有各种比例和形式的盒装模型兵人出售。这些兵人的形态多姿多彩,十分可爱,但是由于制作方法不当,一些模型兵人在做成后看上去非常呆板难看,如何使手中的兵人生动漂亮起来呢?本文特向模型爱好者介绍一些制作方法。  相似文献   
83.
国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了国产VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)总剂量试验数据,并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异,发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压.根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法:击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置,阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置.  相似文献   
84.
本论文主要分析了SiN4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用.同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷.  相似文献   
85.
采用先进的机械、微电子和自动化技术,研制大型汽轮发电机组振动监测保护系统,实现了信号采集、状态监测、异常保护和故障诊断等功能.介绍了系统的设计方法、主要特点和实际应用.  相似文献   
86.
The ability of high-voltage power MOSFETs to withstand avalanche events under different temperature conditions are studied by experiment and two-dimensional device simulation.The experiment is performed to investigate dynamic avalanche failure behavior of the domestic power MOSFETs which can occur at the rated maximum operation temperature range(-55 to 150℃).An advanced ISE TCAD two-dimensional mixed mode simulator with thermodynamic non-isothermal model is used to analyze the avalanche failure mechanism.The unclamped inductive switching measurement and simulation results show that the parasitic components and thermal effect inside the device will lead to the deterioration of the avalanche reliability of power MOSFETs with increasing temperature.The main failure mechanism is related to the parasitic bipolar transistor activity during the occurrence of the avalanche behavior.  相似文献   
87.
轻型木结构建筑因其所具有的节能减排潜力而得到大力推广,但易腐易霉的特点使其在全年高湿的夏热冬冷地区的应用受到局限;此外,该地区居住建筑用户多采用间歇用能并配合自然通风的独特模式亦使木制围护结构两侧环境复杂化。故以夏热冬冷地区的轻型木结构建筑为研究对象,于现场监测了不同用能模式下建筑室内温湿度的变化过程及围护结构内的热湿传递情况。  相似文献   
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