M1450型磨床头架的改造

M1450磨床的原头架主轴结构采用弹簧浮动补偿，由于被加工件的质量较大，弹簧浮动补偿已不能满足工件的加工精度，为此改为推力轴承的刚性联结，并对壳体与推力轴承的接触面进行刮研，保证其与主轴端面的平行度在0．005mm以内。     

电子辐照对绝缘栅双极晶体管开关速度的影响

The influence of electron irradiation on the switching speed in insulated gate bipolar transistors（IGBT） with different epitaxial layer thicknesses is discussed in detail.The experimental results prove that the fall time of IGBT increases when increasing the thickness of the epitaxial layer.However,there is no obvious difference between the ratios of the fall time after irradiation to those before irradiation for different epitaxial layer thicknesses.The increase in switching speed of the IGBT is accompanied by an increase in the forward drop,and a trade-off curve between forward voltage drop and fall time of IGBT is presented.     

浅谈工程投标的对策

承包商通过投标取得项目,是市场经济条件下的必然.但是,作为承包商来说并不是每标必投.这就有个投标对策的问题.承包商在投标对策时要考虑的因素很多,需要广泛、深入调研,系统地积累资料,并做出全面、科学的分析,才能保证投标对策的正确性.     

SiC超结MOSFET的短路特性研究

SiC超结MOSFET设计基于N/P柱的电荷补偿效应,在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度,因此对SiC超结MOSFET可靠性的分析研究有助于深入理解器件工作机理,为更好地应用提供必要的理论支撑。基于TCAD Sentaurus模拟软件,对1 200 V电压等级的传统SiC MOSFET结构和SiC超结 MOSFET结构进行建模。首先对比了2种器件的基本电学参数,然后重点分析了短路特性差异,在相同短路条件下对器件内部的物理机理进行了分析。结果表明SiC超结 MOSFET可以有效地提高器件的击穿电压和导通电阻,同时表现出更好的短路可靠性。进一步分析了不同的偏置电压下SiC超结 MOSFET的短路特性,结果表明,随着外部施加偏置电压增加,器件的短路耐受时间减小,同时短路饱和电流也会相应增大。     

柴达木盆地英西地区渐新统下干柴沟组上段储层微观孔隙结构特征

柴达木盆地英西地区渐新统下干柴沟组上段为“自生自储”型油气藏。利用X射线衍射全岩矿物含量分析、薄片鉴定、扫描电镜观察、二氧化碳吸附、氮气吸附/脱附、高压压汞、核磁共振、自发渗吸等实验手段,系统分析柴达木盆地英西地区渐新统下干柴沟组上段储层特征,精细表征了其微观孔隙结构特征。研究结果表明:①英西地区渐新统下干柴沟组上段储层为细粒沉积岩,其矿物成分主要为白云石和铁白云石等碳酸盐,含有长石、石英等陆源碎屑,伊蒙混层和伊利石等黏土矿物。②研究区储集岩整体较为致密,孔隙度为1.0%～14.5%,平均为4.0%,渗透率为0.011～6.146mD,平均为0.125mD,具有低孔特低渗特征。③研究区储集岩的孔隙类型以晶间孔、溶蚀孔、溶洞和裂缝为主,储层孔隙形态为平行狭缝型。④研究区微孔的质量体积平均为0.0056mL/g,占总孔的质量体积的34.70%;中孔的质量体积平均为0.0066mL/g,占总孔体积的40.84%,宏孔的质量体积相对较小,为0.0039mL/g,占总孔体积的24.46%,因此,对岩石储集性贡献最大的为中孔,其次是微孔。     

数码电子雷管在露天石灰石矿山中的应用

分析了数码电子雷管在工程爆破中的优势与劣势，通过对比导爆管雷管与数码电子雷管起爆网络的爆破振动速度与爆破效果，发现利用数码电子雷管能够有效的降低爆破振动减小爆破有害效应，利用数码电子雷管之后矿山的铲装单耗炸药单耗等各项经济指标均出现了明显的降低，取得了良好的经济效益。通过对不同延期时间下的爆破振动速度及其降震率发现随着延期时间的增加爆破振动速度会出现先减小后增加的现象，减震率会出现先增大后减小的现象，当延期时间为40 ms时爆破振动速度最小，减震效率最高。     

新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟

由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法.     

饮用小分子水有益健康长寿

人们平常喝的水，结构是缔合大分子簇团，参与体内生物化学反应差，脂质代谢差。人体动脉内的脂质沉积，随着年龄增长逐渐增多，血流阻力增大，流量减少。中老年人可能患动脉粥样硬化症，高脂血症和高血压症。同时有的血粘度高、血糖高、血尿酸高，不断受病痛折磨，使寿命大为缩短。据统计，心脑血管病是当前我国人口第一第二位死因，占死因总数的46%。而健康人也因动脉内脂质沉积逐渐增多，促使器官功能衰减，使人应享的自然寿命缩短。据研究，长期饮用普通天然水，是使人逐渐形成动脉粥样硬化而提前衰老的重要原因。这一认识的依据，应当…     

A novel optimization design for 3.3 kV injection-enhanced gate transistor

This paper introduces a homemade injection-enhanced gate transistor (IEGT) with blocking voltage up to 3.7 kV. An advanced cell structure with dummy trench and a large cell pitch is adopted in the IEGT. The carrier concentration at the N-emitter side is increased by the larger cell pitch of the IEGT and it enhances the P-i-N effect within the device. The result shows that the IEGT has a remarkablely low on-state forward voltage drop (V_CE(sat)) compared to traditional trench IGBT structures. However, too large cell pitch decreases the channel density of the trench IEGT and increases the voltage drop across the channel, finally it will increase the V_CE(sat) of the IEGT. Therefore, the cell pitch selection is the key parameter consideration in the design of the IEGT. In this paper, a cell pitch selection method and the optimal value of 3.3 kV IEGT are presented by simulations and experimental results.