MEMS热激发红外脉冲光源

设计制作了不同结构、不同图形尺寸的铂金薄膜热激发MEMS红外光源,并对其辐射性能作了测试比较。测试结果显示,发射光谱带在2-4μm范围内有比较强的辐射能量,调制频率在20-40 Hz之间有较好的调制度。这些特性已经符合多数红外传感器的要求。     

高精度硅电容压力传感器的研究

本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构，从而较好地消除由温度特性不匹配造成的漂移。利用Ｄｉｏｄｅ－ｑｕａｄ接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器材固有的非线性，使传感器的精度大大提高。     

微机械力敏传感器及其发展动向

微机械加工技术的出现把传顺，特别是力敏传感器，推向一个新的发展阶段。微机械力敏传感器以其小型、廉价和集成化成为力敏传感器发展的主流。本文介绍微机械压力传感器、加速度传感器和微机械陀螺的现状及其发展动向。     

贺《军医进修学院学报》30年

依据光声传感器的原理,改进了传输线理论,引入与谐振腔相连接的腔室、管道所引起的非理想因素,提出了一种更为完善的LC等效电路模型.利用此模型完成一维光声腔结构参数的理论分析和计算,通过与以前的模拟结果和实际测量数据进行对比可知,新模型的模拟结果与实验结果拟合得更好,从而证明了新模型的合理性.     

集成电路塑封应力的压阻测试

本文提出了一种用于测量集成电路塑封附加应力的十字型压阻测试图形设计,用它可同时测量芯片平面内的两个正应力及剪切应力,比现有的几种方法更加合理可靠.用这种测试器件对国产塑封料和进口塑封料进行了对比应力测试,所得结果为国产塑封料配方及塑封工艺的改进提供了性能参数.     

抗高过载微压传感器

在提高微压传感器灵敏度的研究过程中 ,会遇到非线性和稳定性变差、过载能力不够以及静电封接时背岛与玻璃粘接造成器件失效等现象。提出了应力匀散结构和两层岛的限位结构 ,利用有限元分析和近似解析分析 ,设计了新的双岛 -梁 -膜结构 ,成功地研制出抗高过载微压传感器。量程为 0 .3kPa ,总精度为 0 .4% ,过载能力 >140倍满量程     

测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法

介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法.硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示.利用深反应离子刻蚀技术(DRIE)在{0mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽,测量槽宽度在腐蚀前后的变化,就可测定各{0mn}面上的二维腐蚀速率分布.将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布.由于DRIE制作的垂直侧壁深度大,可耐受较长时间的各向异性腐蚀,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果.实验得到了40%KOH和25%TMAH中{n10}和{n11}晶面的腐蚀速率分布数据.     

国际固态传感器研究动向——记第四届国际固态传感器会议

<正> 第四届国际固态传感器会议于今年六月初在日本东京举行。无论从会上宣读的论文还是从参加会议的人数来看,这次会议都是空前的盛大。反映了该会议已确立了它在国际学术界的权威地位,也反映了近年来国际上对固态传感器研究工作的广泛重视。 在这次会议上,我国学者报告的论文有九篇,按国家统计,与西德并列第五,反映了我国固态传感器研究工作在这几年来有很大进展,     

择优生长的多晶硅压阻统计理论

本文报道了计算择优生长的多晶硅压阻灵敏度的统计平均理论,由此得到了〈100〉、〈110〉〈111〉、〈211〉、〈311〉、〈331〉等低指数晶向择优生长的p型和n型多晶硅的平均晶粒压阻系数.将这些结果应用到具有多重择优晶向的多晶硅材料,经过计算可进一步得到多晶硅力敏电阻的灵敏度.对于制作在矩形膜中心区域的一系列多晶硅电阻,实验得到的结果与理论分析的结果符合得很好.这些结果为多晶硅压阻型压力传感器的设计提供了有效的手段.     

微电子机械系统进展和趋势

本文对微电子机械系统的进展和趋势提出了一些观点性意见，在阐述了微机械技术和ＭＥＭＳ的特点后，强调发展ＭＥＭＳ器件要利用其特点而避免其短处，并为此列举了五个方面成功的ＭＥＭＳ器件。最后，本文讨论了了ＭＥＭＳ进一步发展的趋势和提出了我国发展ＭＥＭＳ的意见。