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该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
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目的 针对面向老龄化社会的产品及产品服务系统设计,将赋能的设计理念和价值引入其中,探索设计结果提升老年人能动性和参与性的赋能品质,为设计师开展设计赋能实践提供参考.方法 以设计教学中的学生设计方案作为研究材料,邀请设计研究者参与工作坊,对设计结果的赋能属性进行分析,并通过聚类获得类别化的设计属性,产生了能描述赋能品质的属性词汇表.结果 总结了包含5组形容词组的设计赋能品质集,这一集合包含"顺应性"和"激励性"两个面向.结论 研究结果为设计师进行老龄化设计提供了知识参考,有助于提升设计师的赋能意识.揭示了设计赋能充满矛盾性的品质,提出面向老龄化的设计赋能需要在"顺应"和"激励"之间找到平衡. 相似文献
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在激光增材制造过程中,熔池温度的稳定性是表征加工过程稳定性的一个重要指标.设计一套控制熔池温度的闭环反馈系统,以达到控制熔池温度,提高成形件质量.基于C#编程软件实现了温度信号的传递,采用PID控制算法设计了温度控制器.实验结果表明,此系统能实时、准确地实现熔池温度的闭环控制,能够有效消除直壁墙熔覆过程中因热累积而造成的“蘑菇云”现象,且成形件几何精度有显著提高,各处显微组织差异较小,组织致密均匀. 相似文献
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以上海市江浦路越江隧道新建工程盾构出井吊装为背景,对在成形隧道上方进行盾构机出井吊装对隧道的影响进行了研究.结合履带吊站位工况,对成形隧道进行受力及变形分析,并根据实际监测情况分析此种工况下对成形隧道的实际影响,得到了一系列变形的数据,总结了吊装施工过程中的注意要点,可为后续工程提供施工建议. 相似文献
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分析目前工程总承包其他费的现状及问题,并对比研究工程总承包其他费与施工管理措施费、工程建设其他费的区别和联系,探讨工程总承包其他费的构成内容与计取规则. 相似文献
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为研究金针菇多糖(polysaccharide from Flammulina velutipes,FVP)对微冻大黄鱼及鱼片在贮藏期间肌原纤维蛋白性质的变化及水分分布的影响,实验分别选用0.03、0.06、0.09 g/L FVP浸渍处理大黄鱼和鱼片,以无菌水处理为对照组,分析微冻贮藏期间样品的感官指标得分、总挥发性盐基氮含量、总巯基含量、Ca2+-ATPase活性、蛋白流变学性质以及水分迁移变化规律。结果表明:FVP可有效抑制整鱼总挥发性盐基氮含量上升和感官得分的下降;减缓整鱼及鱼片在微冻过程中总巯基含量、Ca2+-ATPase活性下降和水分流失;此外FVP还能够延缓大黄鱼因腐败而出现的蛋白凝胶能力减弱。在本实验选取的多糖浓度范围内,0.09 g/L FVP处理组保鲜效果较强。该研究结果可为FVP用于水产品贮运保鲜提供理论参考。 相似文献
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Qiqi Peng Xu Jiang Yifan Chen Wei Zhang Jun Jiang Anquan Jiang 《Ceramics International》2021,47(16):22753-22759
Large domain wall (DW) conductivity in an insulating ferroelectric plays an important role in the future nanosensors and nonvolatile memories. However, the wall current was usually too small to drive high-speed memory circuits and other agile nanodevices requiring high output-powers. Here, a large domain-wall current of 67.8 μA in a high on/off ratio of ~4460 was observed in an epitaxial Au/BiFeO3/SrRuO3 thin-film capacitor with the minimized oxygen vacancy concentration. The studies from read current-write voltage hysteresis loops and piezo-response force microscope images consistently showed remaining of partially unswitched domains after application of an opposite poling voltage that increased domain wall density and wall current greatly. A theoretical model was proposed to explain the large wall current. According to this model, the domain reversal occurs with the appearance of head-to-head and tail-to-tail 180° domain walls (DWs), resulting in the formation of highly conductive wall paths. As the applied voltage increased, the domain-wall number increased to enhance the on-state current, in agreement with the measurements of current-voltage curves. This work paves a way to modulate DW currents within epitaxial Au/BiFeO3/SrRuO3 thin-film capacitors through the optimization of both oxygen vacancy and domain wall densities to achieve large output powers of modern domain-wall nanodevices. 相似文献
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全膜电容器边缘处的电场畸变是影响电容器元件击穿的重要因素之一.为研究浸渍情况和压紧系数对全膜电容器电场分布的影响,对电容器端部进行建模,通过改变浸渍情况和压紧系数,计算不同参数下电容器端部的电场分布情况,结果表明:未浸渍情况下电场最大值集中在折边处两侧,浸渍情况下场强在折边圆弧处分布较为均匀.同时发现,在浸渍情况下增大压紧系数K可以明显改善全膜电容器端部电场的分布情况. 相似文献