PM-OLED驱动中的分场显示问题研究

提出了一种比率电流＋分场的概念，结合电流比率加分场的方法，设计了一种电流移位（复用）的驱动方法。这种电流比率＋电流移位的方法比现有的脉宽调制（PWM）法结构简单、时序简化，电路集成。既保留PM－OLED低成本的优点又达到较高的灰度级显示，避免使用大的电流驱动。用较少的分级电流（4个成比例电流）实现较高的灰度级（16级），实现了数字化显示，电流信号还可以避免串扰的影响。     

激光专用机在非晶硅太阳能电池制备中的应用

本文详细讨论了大面积实用型非晶硅太阳能电池制备中激光刻蚀专用机的作用及对该机的技术要求.研究结果表明,采用10瓦YAG激光器并配以微机控制的x-y大型载物台,可用于20cm×20cm非晶硅太阳能电池的研究,已制出10cm×10cm转换效率可达8.55%的电池.     

染料敏化电池(中)

(4)传导到TCO的电子流向外电路. (5)该电子最终经由外电路回到对电极(CounterElectrode). (6)处于氧化态S+的染料分子从电解质(氧化还原电对I-/I3-)的I-离子中得到电子回到基态S,而电解质的I-失去电子被氧化成I3-:S++e-→S (3) I--2e-→I3-(4) (7)处于氧化态的氧化还原电对I-/I3-中的I3-扩散到对电极处,从对电极获得电子而被还原成I-离子:     

薄起始层的VHF PECVD底栅微晶硅薄膜晶体管

对微晶硅薄膜晶体管,尤其对底栅型晶体管,在衬底和晶化层间存在一层非晶相起始层,这将严重影响器件性能.文中采用降低硅烷浓度的方法简便有效地减薄了用超高频化学气相法直接沉积的微晶硅薄膜起始层的厚度,得到起始层厚度小于20nm的微晶硅薄膜.在硅烷浓度为2%的条件下采用四版工艺制备了具有Al/SiNx/μc-Si/n+-μc-Si/Al结构的底栅微晶硅TFT,其开关比(Ion/Ioff)达到106,场效应迁移率为0.7cm2/(V·s),阈值电压为5V左右.     

电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计

模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT／OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly -Si TFT／OLED耦合对的驱动电压低,在200A／m^2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0．0～2．5μA时饱和电压只有1．5～2．5V。     

第一款利用多触点技术的商业产品的开发

第一款利用多触点技术的商业产品——JazzMutant公司的Lemur音乐控制器诞生于2004年。本文通过多触点技术发展的历程,从总体上描述了目前多触点技术利用的现状。在此特别关注的是无源矩阵的多触点技术。     

掺杂室沉积本征微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用

在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜.对薄膜电学特性和结构特性的测试结果分析表明:随硅烷浓度的增加,材料的光敏性先略微降低后提高,而晶化率的变化趋势与之相反;X射线衍射(XRD)测试表明材料具有(220)择优晶向.在P腔室中用VHF-PECVD方法制备单结微晶硅太阳能电池的i层和p层,其光电转换效率为4.7%,非晶硅/微晶硅叠层电池(底电池的p层和i层在P室沉积)的效率达8.5%.     

金属诱导多晶硅电极用于液晶显示透反功能的设计

溶液法金属诱导晶化(S-MIC)的p型掺杂多晶硅薄膜,具有较好的电学特性和近似半透半反的光学特性,可作为透、反两用功能液晶显示器件(LCD)的像素电极材料.但MIC多晶硅薄膜的透射与反射在红.绿和蓝三色区存在着一定的差异,势必导致合成白光的"畸变".为此,作者在MIC(大晶畴)多晶硅材料制成的电极上,在制备并光刻TFT源、漏电极铝金属引线的同时,光刻出不同面积的铝反射片来平衡和补偿经过MIC多晶硅薄膜透过与反射的红、绿、蓝三基色光,有效地进行红、绿、蓝三基色出光光谱的校正.校正结果表明在可见光范围内,其红光、绿光和蓝光处的透射率和反射率基本符合白光平衡的要求;由此形成了具有透、反两用功能的LCD多晶硅像素电极技术.     

用FPGA实现OLED灰度级显示

根据有机发光二极管 (OL ED)器件的发光特性 ,分析了 OL ED器件实现灰度级显示的机理 ,比较了 OL ED显示屏各种控制电路的问题 ,提出基于子场技术的设计方案。利用现场可编程门阵列 (FPGA)设计控制电路 ,实现单色 OL ED的灰度级显示。分别对 32 0× 2 4 0和 6 4 0× 4 80的 OL ED屏 ,对实现 16级灰度的设计方案进行仿真 ,得到各个控制信号的时序图 ,并对此仿真结果进行了分析。结果表明 ,FP-GA设计实现的控制电路 ,能够实现 OL ED所要求的灰度级显示。该控制电路可用于无源或有源选址的OL ED显示。     

Al栅a—Si TFT栅绝缘膜研究

Ａｌ栅可明显降低ＡＭ－ＬＣＤ中ａ－Ｓｉ ＴＦＴ矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细分析了Ａｌ栅的阳极氧化技术，获得了适于ａ－Ｓｉ ＴＦＴ复合栅的Ａｌ２Ｏ３栅绝缘材料。