Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀AlGaN的研究

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用.在对比了ICP与RIE,ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上,采用Ni作为掩膜,Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体,对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究.刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加,刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢.最后结合刻蚀表面的扫描电镜(SEM)分析和俄歇电子能谱(AES)深度分析对刻蚀结果进行了讨论.分析表明,在满足刻蚀表面形貌的同时,较低的直流偏压下刻蚀速率较慢,但损伤较小,这对于制备高性能的紫外探测器是有利的.     

黑龙江建材行业循环经济推进会研讨会举行

本刊讯 1月10日,黑龙江省经济委员会和黑龙江省建材行业协会在哈尔滨召开了"黑龙江省建材行业发展循环经济推进会暨研讨会".全国政协人口环境资源委员会副主任、中国建材联合会会长张人为,中国建材联合会秘书长孙铁石,中国建材规划研究院院长刘长发,国建联信认证中心董事长张东壮出席会议.     

Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为

在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞.     

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.     

高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器

研究了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.p区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340～365nm波段的紫外光可以直接透过p区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率.并且研究了不同p区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同p区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,p区的厚度对200～340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340～365nm波段光吸收的量子效率.并且当p区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm2,表明器件具有非常高的信噪比.     

改性壳聚糖保鲜涂膜透水率的研究

利用纳米SiOx对壳聚糖涂膜进行改性,采用三因素二次旋转组合正交设计研究了壳聚糖、纳米SiOx和单甘酯等因素对壳聚糖保鲜膜透水率的影响,得到相应单指标二次回归模型。结果表明：当壳聚糖用量1.547 g、SiOx用量0.028 g、单甘酯用量0.015 g时,具有较低的透水率,膜的综合性能最好,室温下果蔬保鲜时间明显延长。     

加强企业内部制度控制 不断提升企业管理水平

加强企业内部控制是提高企业管理水平的重要手段,同时加强企业内部控制对有效规避企业投资决策失误,保障企业经济效益的最大化同样有着不可替代的作用。本文主要阐述了企业内部控制所包含的各要素,并对企业内部如何制定科学、合理、严谨的控制制度进行了分析,进而提出了建立企业内部控制制度的各种保障措施。希望通过本文的论述能够有效地提升企业内部控制能力,不断提高企业管理水平。     

GaN基激光器的特性

GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm时,获得近似镜面的腔面.激光器的测量证实了腔面的改善可以降低阈值电流,增加斜率效率.利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响.计算结果说明,增加脊形高度可以增加限制因子,降低远场纵横比.通过测量具有不同脊形高度的器件,证实了脊形高度增加,阈值电流降低、远场纵横比减小.     

烟苗生长规律及其与假植期关系的研究

苗高生长及根、茎、叶干物质的积累皆呈指数曲线,方程均是 y=a·b~x,根长度生长呈 S 形曲线,方程为 y=(?)。作者将烟苗生长分为3个时期:缓慢生长期、加速生长期及最快生长期。苗高、叶片数及叶重可作为确定假植期的指标,当烟苗出现5片真叶进入最快生长期时,长势长相的日变化很大,应抓住时机,于5～6叶期进行假植。     

立方相AlxGa1-xN/GaAs(100)的MOCVD外延生长

利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜.通过光致发光 (PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响.发现相对高的NH3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量.