霍尔-埃鲁特法电解槽用惰性阳极(2)

专利述评 1.瑞士铝业公司在近代,关于铝电解槽用不耗阳极的第一份专利权是1966年瑞士马里塞克获得的。随后,在几个国家内发表了同样的专利。这种阳极是由多孔的导电材料所组成,最好是用铂     

25keV As^＋大倾斜角注入的损伤分析

通过２５ｋｅＶ的Ａｓ＋注入硅中．用背散射沟道分析技术和椭圆偏振光测量技术分析了在倾斜角分别为７°、１５°、３０°、４５°和６０°时的损伤分布，揭示了大倾斜角注入在注入能量较低时的一些物理现象．     

Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜

研究采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应的方法生长外延ＣｏＳｉ２薄膜．通过选择适当的热处理条件，采用多步退火，在Ｓｉ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上均成功获得外延ＣｏＳｉ２薄膜．实验用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ等测试技术分析ＣｏＳｉ２薄膜外延特性，得到的ＣｏＳｉ２薄膜的ＲＢＳ／ｃｈｎｎｅｌｉｎｇ最低产额Ｘｍｉｎ达到１０－１４％．实验对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１１１）样品，分别沿Ｓｉ衬底的＜１１０＞和＜１１４＞晶向进行背散射沟道测量．结果发现，沿Ｓｉ＜１１０＞晶向得到的ＣｏＳｉ２背散射沟道产额显著高     

关于Cu-Au合金溅射机制的研究

本文报导了用热中子活化分析法测量在不同剂量Ar~+离子轰击下Cu-Au合金的溅射产额     

澳大利亚新铝电解厂投产

澳大利亚昆士兰州的最新铝电解厂博伊恩铝厂(由澳日美联合投资)已于1982年8月20日正式投产,但要达到41.2万吨的年产能力尚需时日。该厂的合股人及投资比例是:澳大利亚联邦铝业公司30％、美国凯撤制铝及化学公司20％及5家日本铝业公司共50％。已达成协议按股金比例分配产品。 1982年的产量预计可达25000吨,比原估计的4万吨显著减少。据《悉尼晨报》报道,原计划要求到1983年还有设备投入生产,使产能增加到     

节省热量93万亿英热单位

美国铝业协会宣布,据铝工业报道,1981年下半年和1972年相比,生产1磅铝所需能量下降了17％。在向能源部提出题为《政府—铝工业自愿节能计划》的一份报告中,铝工业声称现已达到其20％节能指标的75％以上。铝工业自动提出到1985年底,和1972年相比,单位能耗将下降20％。铝工业原定指标是:到1980年底生产1磅铝所需能量下降10％。铝工业提前两年超额完成该项指标,并于1979年末自动提出节能20％的总指标。     

连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布

本文用连续近似和半路平面模型两种近似,在考虑多根原子弦的条件下(多弦近似),计算了沟道产额角分布.在计算横向能量E_1与可进入区面积A(E_⊥)的关系曲线时,本文用随机投点的方法替代 K.Sato等人的划格子的方法,以提高计算的适应性.对于1MeV He离子入射Si<110>沟道,本文用半路平面模型和多弦热平均势算得ψ_(1/2)为0.81°,这个结果比S.T.Picraux等人用单弦静态势算得的值0.89°更为接近实验值(0.75°).本文对ψ_(1/2)和x_(min)的理论值与实验值的差别以及改进理论计算的可能方法作了讨论.     

用沟道技术研究反应离子束刻蚀所引起的晶体表面损伤

在大规模集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,要求电路的线条不断变细,等离子、离子束及反应离子刻蚀等加工工艺将起着重要的作用。它们为大规模集成电路生产提供了强有力的微细加工手段。离子束刻蚀类似于机械研磨,离子束能量和样品的位置可变,具有各向异性。在加工过程中,样品表面存在一定量的损伤,从貌相看还存在起伏不平的“小丘”。等离子和反应离子刻蚀克服了各项异性,但离子能量和刻蚀的方向不可调节,所以也有局限性。     

日本原铝电解厂年度产能

(1981年3月31日,吨)公司/厂名9年3月能31日废弃产能目前产能冻结产能实际产能产97日本轻金属公司 蒲原 新得 苫小收94960147660134410310001476606385063850134410134410小计昭和轻金属公司 喜多方 大坷 千叶3770301787601982601982602872042800170290190904278028720237201275101180057801692017940127510小计住友轻金属公司 菊本 名古屋 富山 东和24181061870179950175001623707898052800177680987107a9807台980528001?768098710692301 1845098710小计三菱轻金属公司 直江津 坂出40817052800355370592302961401 601601 924804529016016014…     

砷注入硅背散射沟道研究

我们对能量从40keV～150keV,剂量从1×10~(15)离子/cm~2～1×10~(16)离子/cm~2砷离子注入〈111〉单晶硅,进行了H~+和He~+背散射沟道测量。样品经600℃、700℃、825℃热退火后,都未能满意地消除损伤,而经红宝石脉冲激光退火之后,能满意地消除损伤。对40keV剂量为1×10~(16)离子/cm~(275)As~+注入的硅样品,分别进行900℃、30分钟热退火和红宝石脉冲激光退火,而后分别测量了〈111〉轴向和〈110〉轴向背散射沟道谱,砷原子的替位率分别为90％和95％以上,同时对两种退火方式的样品,测量了〈111〉轴向的角分布,观察到在热退火情况下,杂质砷原子的角分布有变窄的现象,大约窄0.2°;脉冲激光退火杂质砷原子的角分布与硅原子的角分布重合得相当好。我们又在连续打七个激光脉冲的斑点上测量了表面砷原子浓度的横向分布,其形状近似于高斯分布。