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碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10~20 MeV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。 相似文献
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通过对带夹套固定管板式换热器的制造,总结出了较为成熟的制造和检验工艺,介绍了换热器的制造难点、特殊制造工艺和相关注意事项。 相似文献
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�ҹ�ȼ���ܵ�����������״����༰�Բ� 总被引:13,自引:0,他引:13
随着风险概念的引入,对燃气管道进行风险评估是实现燃气管道从安全管理向风险管理、从经验管理向科学管理过渡的必要技术手段。综述了近年来国外燃气管道风险评估领域在评估体系、失效可能性和失效后果等方面的研究进展和应用成果,以及我国燃气管道风险评估的现状、主要应用成果和技术贡献。研究指出:我国主要在获取可靠原始数据等方面与国外先进水平之间存在着较大差距,这直接阻碍了我国燃气管道风险评估技术的应用和发展。对造成这些差距的原因进行分析后认为:弥补这些差距不能仅依靠照搬国外的先进技术;主要还应在建立全国性的管道数据库等几方面采取对策,以构建适合我国国情的燃气管道风险评估体系。最终的结论是我国在燃气管道风险评估领域完全能够实现自主发展。 相似文献
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闭环曲率补偿的低电源电压带隙基准源 总被引:1,自引:0,他引:1
A new low-voltage CMOS bandgap reference (BGR) that achieves high temperature stability is proposed. It feeds back the output voltage to the curvature compensation circuit that constitutes a closed loop circuit to cancel the logarithmic term of voltage VBE. Meanwhile a low voltage amplifier with the 0.5 μm low threshold technology is designed for the BGR. A high temperature stability BGR circuit is fabricated in the CSMC 0.5μm CMOS technology. The measured result shows that the BGR can operate down to 1 V, while the temperature coefficient and line regulation are only 9 ppm/℃ and 1.2 mV/V, respectively. 相似文献
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