基于深度学习的人体姿态估计方法综述

基于深度学习的人体姿态估计方法旨在通过构建合适的神经网络，直接从二维的图像特征中回归出人体姿态信息。主要按照2D人体姿态估计到3D人体姿态估计的顺序，并从单人检测与多人检测、稀疏的关节点检测与密集的模型构建等方面，对近年来基于深度学习的人体姿态估计方法进行系统介绍，从而初步了解如何通过深度学习的方法得到人体姿态的各个要素，包括肢体部件的相对朝向和比例尺度、骨骼关节点的位置坐标和连接关系，甚至更为复杂的人体蒙皮模型信息。最后,对当前研究面临的挑战以及未来的热点动向进行概述，清晰地呈现出该领域的发展脉络。     

“人工智能+”背景下的数据安全与隐私保护探析

随着大数据和云计算的技术的深入应用，人工智能时代的机器学习和深度学习更需要日益增长的数据，因此数据安全与隐私保护变得更加迫切。本文介绍人工智能的定义以及特征，探究数据安全和隐私保护现状，分析数据安全和隐私保护面临的诸多问题，并提出在人工智能时代对数据安全和隐私保护的措施。     

不同孔形下豆类透筛效果对比及圆筒筛优化

以大豆为对象,推导了筛孔透筛区域的面积计算公式,对比了不同孔型圆筒筛的大豆透筛效果,得出大豆在正方形筛孔的圆筒筛中透筛效果最好,并通过仿真计算对其进行了验证。在此基础上对正方形筛孔的圆筒筛进行优化,用筛分比和除杂比计算筛分效果,通过正交仿真试验分析得到不同工艺参数对圆筒筛的豆类筛分效果的影响次序,并得出最佳工艺参数为圆筒倾角5°、圆筒转速16r/min、进料速度14t/h、筛孔边长9mm,该条件下筛分效果为0.935,比原始模型提高了3.89%。     

主/次显示器视距设计对头部关节舒适度的影响

以视平线可与显示器中心重合为准,分别探讨显示器中心在视平线上方、下方时不同视距对头部关节舒适度的影响. 实验自变量为视距(眼睛与显示器中心的水平距离),因变量为头部关节舒适度. 实验结果显示:1)显示器中心在人视平线上方时,头部舒适性状态始终处于不舒适状态,此时视距与人的头部舒适性关系成正比,即视距越大,头部舒适性越好;2)显示器中心在人视平线下方时,头部关节舒适状态始终处于正常范围,舒适性程度随视距增大而减小.     

浅析治黄新方案的合理性

从水资源、能源、运行、管理等方面论述了由笔者提出的治黄新方案的合理性。     

连续型衍射透镜激光直写技术研究

研究了不同于台阶形式的具有连续浮雕结构的衍射聚光透镜的激光直写工艺,简要描述了光致抗蚀剂的曝光和显影,对激光直写工艺的机理和工艺过程进行阐述.利用CLWS-300W/C极坐标激光直写设备制作出了具有良好面形微结构和较高衍射效率的连续型衍射透镜.研究表明,激光直写技术直写精度高,加工工艺灵活,利用计算机的控制,能够根据光学设计产生的浮雕分布数据制作复杂的、任意形状和外形的微型浮雕结构,非常适合于高精度微光学元件的加工制作.     

吐哈盆地丘东洼陷层序基准面旋回与储集性能关系

通过对吐哈盆地台北凹陷丘东洼陷中侏罗统层序基准面旋回与储集层储集性能的对比分析认为，丘东洼陷短期基准面的升降对储集性能具有明显的控制作用，短期基准面上升，储集层储集性能变差；短期基准面下降，储集层储集性能则变好。将中侏罗统短期基准面旋回测井响应模型分为退积-退积型、退积-进积型、进积-退积型和进积-进积型等4种。同时认为，储集层物性随着中期基准面的上升，辫状河道沉积砂体变厚、粒级变粗、砂泥比增大；中期基准面下降、旋回，储集层物性明显变差。指出了相对优质储集层发育的层段对应于基准面较低部位的储集层，丘东洼陷纵向上J2X^4早期和J2s^2是岩性油气藏勘探的有利目标层位；平面上弧形带两翼为有利的岩性油气藏发育区。     

钴卟啉/双模型介孔分子筛的制备

通过对双模型介孔分子筛(BMMS)的改性,用疏水性的基团将介孔分子筛表面的羟基硅烷化,利用N端基和钴原子的配位将钴卟啉嫁接到介孔分子筛孔道中,得到了分散度高、热稳定性好的有机无机复合双模型介孔分子筛;并通过XRD、BET、TG-DTA等手段对制备的样品进行了表征.结果表明,硅烷化将钴卟啉成功地接枝在BMMS的表面,使钴卟啉得到较好的分散,提高了钴卟啉的热稳定性,且仍保持了BMMS的结构.制备的钴卟啉/BMMS催化剂将用于环己烷和环己烯的非均相催化氧化.     

一种基于混沌渐近同步的数字保密通信方法

根据驱动－响应混沌同步原理，提出了一种基于混沌渐近同步的数字保密通信方法。通过设计对发射信号进行多级单值非线性变换，使得通过预测法的攻击完全失效，因而这种通信方法具有较高的抗破译能力。理论分析和数值模拟结果证实了本方法的正确性与有效性。     

利用静电学和测量数据对碳纳米管膜场致发射规律的定量分析

碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定，无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统，其表面电场强度均匀（UId），发射电流密度、总电流与发射面积成正比：对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks，一个与两极距离和球半径之比（d/r）相关的函数，其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0，ks=1，d≥r的情况，ks接近于常数。对于10〈d／r〈100的情况，存在一个经验的表达式：ks=1＋0．15d/s=0．005（d／r）^2。在引入ks后，不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述：I=a（E-Eo）^b，a，b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。