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本工作以丙烯腈/衣康酸(IA)二元共聚原丝以及丙烯腈/IA/丙烯酸甲酯(MA)三元共聚原丝为研究对象,利用热重分析仪(TG)和热解-同步辐射真空紫外光电离质谱(Py-SVUV-PIMS)对其热稳定化过程进行研究。TG结果表明,氮气气氛下,二元共聚原丝(PAN/IA)和三元共聚原丝(PAN/IA/MA)分别呈现三阶段和两阶段的热分解过程,其中PAN/IA的第一和第二阶段均对应PAN线型分子链的断裂,但前者是由自由基环化反应放热引发的,后者则是由正常温度下的热分解所致,而单体MA的加入显著抑制了自由基环化反应,使得PAN原丝的热稳定化能够以单体IA诱导的离子型环化反应为主较平缓地进行,相应的热失重过程也由两阶段转变为了单阶段。Py-SVUV-MS的实验结果表明,两种共聚PAN原丝在程序升温过程中会生成包括含氮小分子、丙烯腈单体及低聚物、成环化合物在内的三类主要热解产物,对比各类产物的生成趋势和产量,推断单体MA通过降低PAN结构的规整度,使其无定形化,从而增加环化反应的引发点,促进PAN原丝向稳定的预氧丝转变,同时由典型热解产物——甲基丙烯腈的生成路径可知,MA本身并不参与PAN大分子的环化反应,属于中性共聚单体。空气气氛下,CO2的产量差异也间接证明了MA单体能够有效提升PAN纤维的固碳能力,采用三元共聚方法制得的PAN纤维热稳定性能更佳。 相似文献
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针对阳煤五矿广场变电站的高压开关老化问题,为了保证安全性,采用了GIS气体的高压绝缘开关进行了改造。在改造后,变电站的安全性得到了显著提高,设备运行可以节省成本200多万元。 相似文献
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采用新工艺回收7-氨基-3-脱乙酰氧基头孢烷酸(7-ADCA)生产中产生的苯乙酸,并对苯乙酸回收过程中产生的废硫酸进行处理。采用硫酸(9 8%)洗涤二氯甲烷,硫酸与二氯甲烷适宜的体积比为1∶50,洗涤好的二氯甲烷中含苯乙酸4%。蒸馏出二氯甲烷,趁热向熔融苯乙酸中加入母液,降温析出苯乙酸。晾干的苯乙酸为白色鳞片状,含量大于99%,苯乙酸母液补充部分清水套用到下一批析出苯乙酸。废浓硫酸用芬顿试剂氧化,控制80℃氧化4h,双氧水和七水硫酸亚铁重量比为6∶1,废浓硫酸COD下降85%以上。氧化结束后向废硫酸中加入铁粉和双氧水,制得聚合硫酸铁。 相似文献
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高熵氧化物作为近几年发展起来的新型氧化物体系,打破了传统掺杂氧化物的设计理念,由五种及以上氧化物以等摩尔或近等摩尔构成,因其具有简单的结构和优异的性能等受到国内外研究人员的广泛关注。高熵氧化物由于多主元且主元之间混乱排列,易形成岩盐型、氟化钙型、尖晶石型或钙钛矿等固溶体结构,从而表现出优异的性能,尤其在能源存储材料和磁性材料方面有十分广阔的应用前景,但目前对高熵氧化物应用研究较少。本工作介绍了国内外高熵氧化物的制备方法,主要包括固相法、热解法、共沉淀法、水热合成法和液相燃烧合成法等,比较了各方法的优缺点和发展前景;归纳了高熵氧化物作为锂离子电极材料、巨介电材料、磁性材料和催化材料等方面的应用;指出了高熵氧化物目前研究存在的问题,讨论了解决措施,展望了高熵氧化物未来的发展趋势。 相似文献
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为提高计算效率与计算精度,采用不同差分格式求解硬盘的磁头/磁盘界面气膜润滑方程,分析不同差分格式对磁头/磁盘界面气膜润滑压力分布模拟结果的影响。给出中央格式、上风格式、混合格式、QUICK格式、指数格式、乘方格式6种差分格式相应的离散方程格式,选取气膜润滑方程的线性流率(LFR)模型进行压力模拟,并与精确解进行比较。结果表明:6种差分格式都能够模拟出磁头滑块的压力分布情况,且当网格密度足够大时,得到的数值解与精确解基本一致;指数格式在不同网格密度下,均具有很高的稳定性,较之其他格式计算效率高,模拟效果更好;当网格密度足够大时,中央格式计算效率高,优于指数格式。 相似文献
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以Si-MCM-41、Al-MCM-41(1) (n(Si)/n(Al)=15)、Al-MCM-41(2) (n(Si)/n(Al)=10)以及用NH4NO3或HAc的醇溶液分别与Si-MCM-41离子交换所得的H-MCM-41(N)和H-MCM-41(H)为载体制备了系列Ru/MCM-41催化剂。采用N2吸附、XRD和H2-TPR表征了负载Ru前后催化剂的结构及Ru在各种载体表面上的分散状态。以0.5%(质量分数)苯的环己烷溶液为模型化合物,在298K、3.0MPa反应条件下,考察了上述催化剂的苯液相加氢反应性能,并与Ru/HY、Ru/H61538;和Pt/MCM-41催化剂进行了比较。结果表明,载体MCM-41的n(Si)/n(Al)和表面化学组成等性质对Ru在其表面上的分散状态、还原性及催化性能均有影响。对苯的转化率与反应时间的关系曲线进行拟合,发现其遵循一级动力学方程,加氢反应速率常数按照Ru/Al-MCM-41(2)相似文献
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一种基于Normal基椭圆曲线密码芯片的设计 总被引:3,自引:3,他引:0
文章设计了一款椭圆曲线密码芯片。实现了GF(2^233)域上normal基椭圆曲线数字签名和认证。并支持椭圆曲线参数的用户配置。在VLSI的实现上,提出了一种新的可支持GF(2^233)域和GF(p)域并行运算的normal基椭圆曲线VLSI架构。其架构解决了以往GF(p)CA算迟后于GF(2^233)域运算的问题,从而提高了整个芯片的运算吞吐率。基于SMIC 0.18μm最坏的工艺,综合后关键路径最大时延3.8ns,面积18mm^2;考虑布局布线的影响,芯片的典型的情况下,每秒可实现8000次签名或4500次认证。 相似文献