低电阻率耐候性导电碳浆的制备

研究石墨和炭黑的形貌、粒径以及配比对导电碳浆电阻率的影响,分析聚酯和有机硅改性聚酯制备导电碳浆耐候性的差异及原因.试验表明:D90为12.8μm的不等轴鳞片状石墨SFG-10和高度链状团聚炭黑350 G的质量比为7:3时制备的导电碳浆电阻率低,为4×10-2Ω·cm,且硬度H>4;在高低温、高湿和紫外光照射试验条件下,聚酯和有机硅改性聚酯制备导电碳浆电阻值最大变化率分别为36.7％和9.5％,有机硅改性聚酯能显著提高导电碳浆的耐候性.     

蒽醌法合成过氧化氢催化剂的研究进展

过氧化氢（H₂O₂, 俗称双氧水）, 由于其强氧化性常用作漂白剂、消毒剂, 同时也作化工原料。目前工业上生产过氧化氢的主要方法为蒽醌法, 全球近99%的产品均通过蒽醌法制得。研究具有高活性、高选择性及经济性的催化剂是合成过氧化氢所面对的最具挑战性的课题, 同时也是工业催化领域的研究热点之一。主要针对蒽醌法制过氧化氢催化剂, 综述了各种活性组分、载体及助剂在蒽醌加氢催化剂中的研究进展, 并简单探讨了各种活性组分的优缺点, 概括了各种载体、助剂的作用, 以期对过氧化氢催化剂的合成制备提供一些有益的启示。     

微量Ni对MgNi合金组织与性能的影响

在铸态情况下,研究了添加微量Ni对MgNi合金的微观组织、力学性能、硬度及断裂方式的影响.结果表明,纯Mg的组织主要为α相,MgNi系列合金MgNi0.28,MgNi0.99,MgNi1.54合金除了α固溶体外,还存在γ相和Ni相.纯Mg的晶粒粗大,加入Ni后,晶粒得到细化,大小趋向均匀.当添加少量Ni时,合金的抗拉强度显著增加;但当Ni含量超过0.28%时,抗拉强度增加不明显.随Ni含量的增加,MgNi合金的延伸率、硬度先增大后减小;MgNi合金的断裂方式由解理断裂向沿晶断裂方向发展.     

低密度超细银包铝复合软导线的制备工艺研究

采用磁控溅射真空镀膜技术制备银包铝复合线坯,通过后续不退火多道次拉拔,制备低密度的超细银包铝复合软导线。结果表明,磁控溅射处理时,银镀层厚度随走线速度加快而变薄,随溅射电流增加而增厚;拉拔加工要求银镀膜层厚度大于1.3μm,道次变形量宜小于7%;随银镀层厚度增加,制备的10μm超细丝的密度和抗拉强度均增大。将φ15μm的纯铝芯材采用优选条件溅射镀银膜,经拉拔加工制得φ10μm的银包铝复合软导线,其密度为4.87 g/cm~3,抗拉强度286 MPa,复层表面均匀致密无缺陷。     

Au-Pt-Sn体系热力学参数及相图研究现状与展望

较为系统地介绍了Au-Pt-Sn系中二元及三元合金的相图及相关热力学参数研究进展,包括相图分析、合金相结构以及生成焓、结合能、吉布斯自由能等热力学参数,同时介绍了该系合金体系在钎焊和化学催化产业中的应用,并提出了扩大该系合金应用值得重视的一些问题。     

沉淀分离-电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定银铜合金中的磷

建立了沉淀分离银、铜,电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定银铜合金中微量磷的分析方法。重点研究了氯化银沉淀分离银和硫化铜沉淀分离铜的条件,以及ICP-AES法测定磷的工作条件和谱线选择。结果表明,沉淀分离后[Ag~+]<0.1mg/L,[Cu~(2+)]<1mg/L,Cu的干扰可以忽略;仪器功率1.3kW时,分析线P 213.617nm时,方法的检出限0.076mg/L;测定银铜合金中0.00092%~0.0032%的磷含量,相对标准偏差5.3%~1.7%(n=7),样品加标回收率94.4%~103%,方法简便、快速,已应用于实际生产中。     

微纳米银花状球结构的化学制备技术现状与展望

近年来,微纳米银花状球结构的化学制备技术备受人们关注。阐述了微纳米银花状球结构的化学还原沉淀制备技术,探讨化学化学还原沉淀制备花状球的形成机理。银花状球由纳米片或棒等其他纳米形貌构成,因此表现出独特的光、催化等性能,在催化、生物等方面具有巨大潜在应用。     

含铱废料回收技术研究进展

铱由于其物理、化学性质稳定,被广泛应用于航空、电子、催化等高新技术行业,铱二次资源回收意义重大。基于对40多篇文献的分析,介绍了含铱废料的来源,综述了从不同废料中回收提纯铱的工艺,从铱金属和合金废料中回收铱包括溶解和精炼等工序,溶解的方法主要有碎化活化溶解,碱熔融预处理等;精炼的工艺主要有沉淀法、离子交换法、萃取法、氢还原法、高温氧化挥发法等。根据原料成分以及对铱纯度的要求,各种除杂的方法可以联合使用。     

金属铑的反演势构建和应用

采用第一性原理方法,计算得到铑的内聚能曲线;基于陈氏晶格反演理论,将内聚能进行反演得到其晶格反演对势曲线;采用本文提出的双指数型势函数对反演对势曲线进行拟合,获得该函数的精确解析式。为了验证该对势函数的有效性,分别采用第一性原理方法、嵌入原子势方法以及反演对势方法,计算铑的声子谱,计算结果表明,反演对势可以有效地反映原子间相互作用。结合玻尔兹曼分布函数及势函数的解析式,利用自编程序计算得到在不同温度下铑的晶格振动平均位移的数值解,同时得到在室温条件下铑的线膨胀系数,体弹性模量和格林乃森常数等物理量,计算结果与实验数据基本符合,说明构建的铑的反演对势是准确有效的。     

蒸发材料用高纯金的制备研究

采用盐酸+氯酸钠溶解-沉淀除杂-选择性液相还原-煮洗等联合工艺制备蒸发材料用高纯金并进行应用性能分析。结果表明,溶解后的金溶液采用氢氧化钠调整溶液pH值去除部分杂质元素;金溶液采用还原剂选择性还原;得到的金粉用稀硝酸、盐酸煮洗,获得纯度99.999%以上,碳和硫含量均小于1×10~(-6)的高纯金;以制备的高纯金为原料加工的蒸发材料清洁性好,可作为集成电路芯片制造用蒸发材料。