一种宽供电范围仪表放大器的设计

主要研究基于180nm CMOS工艺的仪表放大器技术,针对其在运动健康(如便携式腕式脉搏检测及心电监测设备)中的应用,开展低功耗、宽供电范围CMOS前端电路的研究。经过调研比较,为了进一步降低系统的总功耗,本设计采用了电路结构相对简单的双运放型仪表放大器。为了实现宽供电范围的性能要求,提出了与电源电压成比例的偏置方法。     

基于CC2541的仿针刺手法的电针系统

现在电针设备普遍存在不便携、安全性能差、输出波形单一、缺乏科学性而且智能交互性差等缺点,对此结合无线传感网络技术,设计了一个基于CC2541的仿针刺手法的电针系统,并对该系统的系统框架、硬件、针刺手法模拟理论以及算法实现和系统软件实现方案进行了介绍。     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如：单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件，观察到明显的库仑阻塞效应；在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件，在室温下测得其峰谷电流比高达13.98，峰电流密度大于89kA/cm2；概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

面向21世纪的纳米电子学

评论了纳米电子学的沿革路程,介绍了纳米电子学的研究内容,并预测了它的发展趋势。进而指出,纳米电子学的崛起与发展将会对21世纪的量子计算机、量子通信以及量子信息处理等产生革命性的影响。     

UML到Verilog同态映射在SOC系统级建模上的应用

SOC设计变得日益复杂要求我们在更高层次抽象上分析和验证系统行为。更精细的系统级建模方法变得日趋重要。文章主要目标是阐述怎样使用统一建模语言UML来构建一个复杂SOC设计框架及抽象其各个模块间行为的交互，建立了一个UML到Verilog的同态映射。提出了一个基于同态映射的从UML模型子集自动导出相应可综合Verilog描述的算法，为UML模型对于建模硬件系统提供了形式化的语义，从而能够验证并综合UML模型，加快了SOC设计流程。     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

基于ATE的IC测试原理、方法及故障分析

介绍了基于ATE的集成电路的测试原理和方法,包括电气特性测试原理和功能测试原理,详细地介绍了通用的测试方法以及一些当今流行的比较特殊的测试方法,并以一个功能较为全面而典型的具体电路为例进行了常见的故障分析.     

AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系

比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaN HEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/GaN能带结构表明,AlN插入层能显著提高AlGaN导带底能级,增加异质结的带隙差.带隙差的增加有利于减小电子遂穿几率,加强沟道二维电子气的量子限制,从而抑制电流崩塌效应.     

Performance of a Self-Aligned InP/GaInAs SHBT with a Novel T-Shaped Emitter

研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.