基于以太网接入的综合业务机顶盒的实现

介绍了一种通过对太网实现数据业务，通过有线电视网实现音视频业务的综合业务机顶盒的实现技术，在LSI SC2000平台上从系统、硬件和软件三个方面讨论了综合业务机顶盒的实现方法。     

网络机顶盒录制及硬盘节目播出系统的实现方法

基于DVB、IP双网络的机顶盒具备DVB节目收看、网络点播和数据交互的功能。增加了录制系统后,可以通过本地硬盘存储节目并实现实时节目的暂停和延迟播出。本文重点论述了双网络机顶盒录制系统的处理方法和解决方案,阐述了此系统的数据传输过程,通过FPGA和ARM处理器配合实现TS的录制和播放。     

一种适用于浅海小信噪比条件的声源目标定位技术

文章将匹配场处理技术引入一种新的目标运动分析方法——长时间积分法中，用根据实际海洋传播条件计算所得的声场作为拷贝场向量，替代传统方法中所采用的平面波模型。由于充分利用了声场的空间结构，使得该方法不仅能够完成传统目标运动分析中定出目标方位的功能，而且还可以定出其距离和深度。同时，因积分时间的增加还大大提高了对目标的检测性能。该方法可用于解决小信噪比条件下，声源目标的检测和定位问题。尤其适用于浅海、在声信号的传播因受波导和多途现象影响而严重偏离平面波的情况。仿真结果表明：采用平面波模型时，在信噪比低于-28dB时，声源目标参数就已相当模糊；而当采用匹配场处理技术，在信噪比降为-33dB时，仍可精确地得到声源目标的参数。     

La^3＋、Li^1＋对CaTiO3微波介电性能的影响

研究了La^3＋、Li^1＋取代对CaTiO3微波介电性能的影响。在1400℃以下烧结制备Ca1-xLa2x/3TiO3（简称CLT）微波陶瓷，分析了容差因子τ对谐振频率温度系数τf的影响。在1350℃烧结4h，可制备出εr=118，τf=＋2．95×10^-4/℃，Qf=10360GHz的CLT（x=0．4）微波陶瓷。以（1叫）Ca0.6La0.2667TiO3-yLi1/2Nd1/2TiO3为代表，对（1-y）Ca1-xLa2x/3TiO3叫-yLi1/2Nd1/2TiO3（简称CLLNT）系列材料的微波介电性能进行了探讨。随着烧结温度的提高，CLLNT（x=0．4）的εr略有下降，而Q·f值略有上升。随着y值的增加，CLLNT（x=0．4）的即Q·f、τf都下降。与CLT（X=0．4）相比，虽然CLLNT（x=0．4）的Q·f值下降了，但τf得到较大的改善，同时ε仍很高，保持在100以上。     

北京同步辐射光电子能谱实验站近期研究概况

随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行，用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本中选择部分具有代表性的实验结果进行介绍。     

吸波材料电磁参数频率跟踪逼近优化方法

首先介绍了单层吸波材料的吸波机理，然后提出了一种电磁参数频率跟踪逼近优化方法，并用该方法设计了单层吸波材料，得到了电磁参数的最佳配合下的吸波材料的幅频特征。分析讨论了电磁参数的频散效应对吸波材料的吸波性能的影响，得到了同时考虑电磁参数与频率和吸收剂厚度组合匹配是解决吸波材料优化的根本途径的结论。     

金属诱导晶化的实时电阻测量与监控

采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采用金属诱导侧向晶化.结果表明薄膜电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了两种样品的阻值衰减规律.电场增强方式的时间常数比非电场增强方式小,表明加电场有促进晶化的作用.实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究,是一种简单实用的实时监控手段.     

基于DVD应用的流水线RS-PC解码的VLSI设计

基于DVD数据纠错的应用，设计实现了全程流水线处理的RS-PC解码，采用分解的无逆BM(Berlekamp—Massey)算法和脉动时序控制实现RS解码器的三级流水线处理，采用行列独立的缓冲器和纠错解码器实现行列纠错的两级流水线处理。该RS-PC解码能达到非常快的处理速度，在行列纠错处理无迭代的情况下，数据率可达到每时钟一个字节。     

直流磁控溅射BaTiO3系PTCR元件电极及其性能对比的研究

目前在钛酸钡系PTC热敏电阻器的生产过程中,广泛采用烧渗铝、化学镀镍等电极制备方法,但所制备的电极湿热老化及附着力不尽人意.本文采用直流磁控溅射法制备了的PTCR元件的底电极,实现了镍与PTCR瓷片间的欧姆接触,并发现利用溅射法工艺制备了Ni电极的元件电极附着力(垂直拉力＞3kg,剪切拉力＞0.5kg)及耐湿热老化性能均得到提高,而且溅射工艺的高成本也得到控制,在生产上实现了批量应用(日产量可达3万片).     

Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析

采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺，制作了N型6H—SiC肖特基势垒二极管，对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明，该器件具有很好的整流特性，反向电流小、击穿电压高，且在高温下器件波动很小，能够稳定地工作，适合于在高温(600℃)等恶劣环境下长期可靠地工作。