铁电薄膜存储器底电极Pt/Ti的制备及性能研究

应用射频磁控溅射方法 ,在Si基片上采用不同的溅射工艺制备了铁电薄膜底电极Pt/Ti,并分析了在不同温度下退火后材料的电导率性能和粘结力性能 ,从理论和实验上分析了不同的溅射工艺和退火处理对底电极性能的影响。     

铁电材料I-V特性测试系统

本文介绍了铁电材料的I-V特性及测量原理、测试系统的组成,并给出了测试软件的流程图。用该测试系统对PZT10铁电陶瓷进行I-V特性测试,测量结果与有关报道相符合。本文设计的系统软件不仅可以对所测的铁电样品进行参数计算、修改和保存数据,而且可以对铁电样品的漏电导和线性感应电容进行补偿,从而获得接近本征特性的I-V曲线。利用该测试系统,可以更加方便地对不同的铁电材料进行研究。     

用于敏感电阻的耐雷电波测试仪的研制

介绍一种使用于敏感电阻的耐雷电波冲击测试仪的工作原理和基本性能，分别从雷电波产生电路,控制电路，冲击次数和时间控制电路等方面详细的介绍了电路设计思想。     

富锆PZT陶瓷热释电性能的研究

介绍了富锆PZT陶瓷F_(RL)和F_(RH)的相变,并测试具有不同锆钛比PZT陶瓷的热释电性能,探索相变温度与锆钛比的关系,找出室温下热释电性能最好的PZT陶瓷锆钛比。通过测试,结果表明当锆钛比为97/3时,PZT陶瓷室温下的热释电性能最好,为30×10~(-4)C/m~2℃,符合热释电探测器的性能要求。     

溅射方法对FePt:Ag颗粒膜磁性能及微观结构的影响

分别采用共溅射和多层膜溅射方法制备了FePt:Ag颗粒膜.样品的磁性能和微观特性分别用振动样品磁强计(VSM)、磁力显微镜(MFM)和透射电镜(TEM)进行了表征.研究结果表明:多层膜溅射制备的FePt:Ag颗粒膜能在较低的退火温度下发生有序化相变;而共溅射制备的FePt:Ag颗粒膜经过相同的退火条件后,具有更高的矫顽力,及更细、分布更均匀的晶粒和磁畴结构.     

SmCo/Fe系统膜厚对矫顽力与过渡区噪声影响的微磁学模拟

SmCo/Fe双层膜具有很好的各向异性,因此能够用于高密度垂直磁记录中.采用微磁学方法,详细讨论了SmCo/Fe双层膜系统中膜层厚度对于矫顽力和记录位间的过渡区噪声的影响.模拟结果表明,硬磁层和软磁层厚度对于矫顽力和过渡区噪声都具有一定的影响.为了获得大的系统矫顽力和小的过渡区噪声,有必要提高SmCo层和Fe层的厚度比,同时也要将系统中膜层厚度控制在较小的值.     

粒径分布对介质过渡区噪声影响的微磁学分析

采用微磁有限元方法,分析了粒径分布对垂直磁记录介质中过渡区噪声性能的影响.计算结果表明,颗粒间相互相互耦合作用可以增加介质的矫顽力和剩磁矩形比,使过渡区宽度有稍许减小,同时也使垂直于记录轨道方向的关联长度有一定增加.结果还表明,粒径为Voronoi分布的介质的过渡区噪声高于粒径为一致分布的介质,且随着颗粒间相互交换耦合作用增加和记录密度的提高,噪声的差值也会变大.因此,可以通过采用粒径具有一定分布的介质来减弱颗粒间相互交换耦合作用和记录密度对介质过渡区噪声的影响.     

等静压辅助凝胶注模成型制备高致密Ba0．7Sr0．3TiO3陶瓷

采用凝胶注模成型制备了Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷坯体.为了提高陶瓷的致密度,对干燥后的坯体进行了冷等静压处理.研究结果表明:冷等静压压力为100MPa时,坯体的机械强度从29.6MPa提高到32.8MPa,陶瓷的相对密度从无压时的96.4%增加到98.2%.等静压辅助凝胶注模成型制备的陶瓷相对于传统等静压法制备的陶瓷,晶粒小而均匀,结构致密,是一种理想的制备功能陶瓷材料的新方法.     

CrCO-Ti保护薄膜的制备、结构及机械性能

用非平衡脉冲直流磁控溅射技术制备出了CrCO-Ti薄膜,其结构、耐磨性和表面能分别用XRD（Phihps X-pert）、Pinon-Disc摩擦磨损测试仪（Tribometer Wear Tester）表面接触角度仪（Surface contact Angle Goniometer）分析,研究了在氮气气氛不同退火温度的条件下,CrCO-Ti保护薄膜的结构变化,并得出结论：非平衡脉冲直流磁控溅射沉积的CrCO-Ti保护薄膜是类非晶态的,其耐磨能力达到10^-8mm^3／Nm,它们的表面能低,经过退火处理后,其结构发生变化,耐磨能力下降。     

粉尘等离子体的研究

在实验和理论上研究了粉粒在等离子体鞘区的沉降、带电、收集和刻蚀。基于粉尘对等离子区电子能量分布函数的影响,讨论了粉尘对等离子体的干扰。有关结果表明等离子体对硅粉的纯化处理有可能应用于将工业硅直接制成太阳级硅。