分离三氯氢硅中甲基二氯硅烷的研究进展

三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量会严重影响多晶硅的品质,控制三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量对多晶硅的品质具有重要意义。重点介绍了三氯氢硅中甲基二氯硅烷的深度去除方法,包括常规精馏法、吸附法、反应精馏法和萃取精馏法。对比分析了上述方法的优缺点,其中吸附法、反应精馏法是分离甲基二氯硅烷行之有效的方法,萃取精馏法也是分离甲基二氯硅烷的重要研究方向,并对这些工艺的发展方向进行了展望。     

流化床制备三氯氢硅工艺参数的优化

流化床制备三氯氢硅是多晶硅生产中比较常见的工艺方法。通过理论计算,选择合适粒径的硅粉,结合实际生产,总结出最优工艺参数,保证三氯氢硅合成系统稳定运行。     

先进控制在三氯氢硅精馏过程中的应用

以三氯氢硅精馏工序为应用试点,设计实现了先进控制和优化技术,开发了三氯氢硅精馏过程先进控制系统。应用结果表明:先进控制系统投运后,从过程控制与优化的角度进一步提高了三氯氢硅精馏过程的自动化水平,产品质量和收率得到提高,生产过程安全平稳,实现了三氯氢硅精馏过程的精细化控制。     

甲基三氯硅烷的综合利用

简述了甲基三氯硅烷在甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧然硅烷、甲基硅树脂、甲基苯基硅树脂、甲基硅酸钠等有机硅产品制备中的应用,以及这些有机硅产品的用途。     

三氯硅烷的制备及精制工艺进展

重点描述了三氯硅烷（HSiCl3）的制备和精制工艺。HSICl3。的工业化合成方法主要有硅氢氯化法和四氯化硅-氢还原法2种，HSiCl3的精制方法主要有精馏法、吸附法和多步精制法，其中多步精制法又可分为冷凝-精馏法、反应-精馏法、吸附-精馏法等。结合使用先进的精制工艺，产品可满足高端电子产品的需求。同时介绍了高纯HSiCl3的国际生产情况，指出中国目前HSiCl3产品的纯度只能满足中低端应用，今后应加紧开发高纯度级别的产品，缩短与国外先进水平的差距。     

笼形氢基倍半硅氧烷的合成与表征

在控制水含量和体系温度的前提下,在两相溶剂中,三氯硅烷在FeC l3催化下发生水解缩合,反应生成笼形八氢基倍半硅氧烷和十氢基倍半硅氧烷,然后分离、中和干燥、纯化,重结晶后制得八氢基倍半硅氧烷,产率大约19%。利用傅里叶红外光谱1、H核磁共振光谱2、9S i核磁共振光谱、X射线衍射和热分析等手段,对它的结构和性质进行了表征。     

多晶硅生产中三氯氢硅精馏节能工艺

简述了多晶硅行业概况和差压耦合蒸馏节能技术。详述了一种高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺,利用高压塔塔顶蒸汽作为低压塔塔釜再沸器热源,实现了能量的集成与过程优化。运用化工模拟软件PRO/Ⅱ8.1模拟了两塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺和三塔高纯三氯氢硅差压耦合精馏工艺的设计参数。结果显示,两塔耦合三氯氢硅一次收率为92.0%,理论节能50.1%;三塔耦合三氯氢硅一次收率为92.0%,理论节能66.7%,效果更好。该技术已成功实现工业化,可使精馏单元实际能耗平均降低40%～60%,同时大幅减少了设备投资。     

在喷动流化床中用SiHCl3制聚颗粒硅的动力学研究

在一直径为 ８０ ｍｍ的喷动流化床反应装置系统中进行了三氯氢硅的氢还原反应实验．研究了 颗粒硅的生长速率与颗粒硅的初始粒径和三氯氢硅分压的关系,建立了颗粒硅的生长速率模型,并用实 验数据进行关联,得到如下的半经验、半理论模型,该模型能较好地与实验数据相吻合,实验结果证明了 用流态化技术进行颗粒硅生产的可行性．与西门子工艺相比,流化床工艺可以提高原料气的转化率,降 低能耗和氢配比．因而多晶硅的流态化技术研究有着很好的发展前景。     

三氯氢硅装置主要设备布置及吊装方案

介绍了三氯氢硅的生产方法及工艺流程,叙述了装置设计中主要设备布置及吊装方案的确定过程,并对3种方案的特点进行了比较.     

使用Gibbs最小能法分析三氯氢硅的还原过程

基于目前西门子法多晶硅生产过程中三氯氢硅的还原过程的研究,介绍了Gibbs最小能法的模型方程的建立和求解过程;并通过模拟计算结果与生产统计数据的对比,证明了所建模型的正确性。同时,利用Gibbs最小能法分析了原料中四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅、氯化氢的含量以及反应温度对还原产物中各种物质含量的影响,为相关的工程技术人员提供设计依据。