IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

对多径效应引起测向误差的分析

介绍无线电通信测向的基础原理，从理论上分析多径效应对无线电通信测向的影响，通过计算机仿真得出多径效应对测向误差影响的具体情况，为以后的无线电测向提供理论根据。     

风起云涌的液晶电视机市场

2005年，随着三星七代液晶面板生产线的投产，液晶电视机的产量大大增加，首先引发了液晶电视机的降价，相伴而来，等离子电视机价格也出现雪崩，降价幅度达到30％。今年元旦刚过，就传来三星第二条七代线和LPL七代线投产的消息，尽管两条新的七代线投产的消息刚刚宣布，但是其连锁效应已经开始展现，跟随着SONY大幅降低液晶电视价格的步伐，外资品牌纷纷开始跟进。这发降价狂潮中，32英寸液晶电视机价格变动最大，降幅高达几千元，LG RT-32LZ50只要8999元，而去年国庆节前还要13800元，东芝32WL55C从16060元降到13400元。LG RT-37LZ30/RT-42LZ30分别从19980元／29600元降到16800元／21900元。[编者按]     

银科数字卫星接收机故障一例

石阡县有两个乡镇打电话反映,停电后收不到中央台加密频道节目,但能收到少儿频道节目。因为两处同时出现该故障,首先怀疑是上行站停送信号或者是没有缴费而停送信号,经了解以上两处并不欠费。重新调接收机(银科),该接收机面板是锁定的,按左右、上下键两次均可解锁,将下行频率调     

超快可调的二极管激光器

Omicron的新型二极管激光器，Deepstar，几乎拥有无限的调制能力，即使很高的调制率下，在调制“关闭”阶段也不会露出残余荧光。     

火炮身管内表面激光硬化处理的实验研究

提高身管寿命是火炮行业亟待解决的关键技术问题，激光表面改性技术是解决这一问题的有效方法之一。本文在分析激光表面相变硬化性能的基础上，对身管内表面进行了激光硬化处理实验研究，检测了其内表面阳线和阴线的硬化层硬度和深度，对比分析了离焦量和焦深对其内表面硬化层硬度的影响，并对激光相变硬化层金相组织进行了分析。经激光硬化处理后，身管的内表面硬度有明显提高，硬化层较深，且为很细的条状马氏体组织。     

露天多段深孔微差爆破孔网参数优化设计

本文对露天多段深扎微差爆破孔网参数进行了优化，使每排炮扎成直线排列，两排之间成交替正三角形排列，优化设计后，爆破作用比较均匀，大块率下降了56％，同时，爆破根底产生的机会和程度也大大下降。     

应用激光活化饵料藻种的研究

应用Nd:YAG激光(波长1.06μm,功率5w,照射时间0.5-3 min)和Ar+激光(波长488nm,功率70mw,照射时间5-15min)对长期保存的不同保存形式的塔胞藻(Pyramidomonassp.)进行辐照处理。研究了不同剂量激光辐照对藻体生长和叶绿素含量的影响。实验结果表明:照射剂量为60s的Nd:YAG激光及剂量为15min的Ar+激光对液体保存形式的藻种有较明显的促长效果,接种后这两种激光处理组的比生长速率分别较对照提高达53.33%和28.89%,叶绿素含量分别增加73.33%和65.69%。两种激光对液体保存藻种的活化效果均好于固体保存种。     

固体相干激光雷达多普勒测速实验

采用单块非平面环形激光器作为种子,注入到单纵模运转的Q开关高重复频率Nd:YAG激光器为发射源,同时运用温度反馈控制,使种子光源和从动激光器自由振荡频率相匹配,实现稳定的单频输出.采用外差式相干探测的方法,测量运动目标的多普勒频移,从而达到测量运动物体速度信息的目的.根据实验现象,分析失谐频率△ω对外差探测的影响,提出了改进措施并应用于实验.比较已观测到的实验数据与理论计算值分析误差来源.