车用复合材料板簧性能的有限元分析

为了初步验证所设计复合材料板簧的结构性能,利用有限元分析方法对复合材料板簧结构的静载力学和动态疲劳进行了研究。计算得到空载工况加载过程中的载荷—位移曲线,板簧刚度为373 N/mm。当两端施加载荷为64.7 kN时,板簧达到最大压缩应力。结合复合材料的S—N曲线对板簧寿命进行了估算,循环次数最低处位于板簧下表面靠近卷耳部分,循环次数为33万次。对比复合材料板簧的设计刚度和疲劳寿命,与有限元分析处理方法计算所得结果较为接近,该板簧结构基本符合使用要求。     

SiO2/C复合微球的制备及其脱除水体中Cu(Ⅱ)和Cr(Ⅵ)的动力学和热力学

首先,将Stober法制备出的SiO2活性微球分散到抗坏血酸(VC)水溶液中,通过水热碳化法成功制备出了SiO2/C复合微球.采用XRD、SEM、TEM和BET等手段对产物的结构、形貌和比表面积进行了分析.然后,以Cu(Ⅱ)和Cr(Ⅵ)为目标污染物,对比研究了SiO2和SiO2/C对水体中上述两种金属离子的脱除效果.结果表明,SiO2和SiO2/C对Cu(Ⅱ)和Cr(Ⅵ)的吸附动力学满足准一阶动力学方程,吸附热力学过程符合Langmuir模型,但SiO2/C复合微球对Cu(Ⅱ)和Cr(Ⅵ)的去除量较高,且具有较好再生性能,经过6次循环使用后,对Cu(Ⅱ)和Cr(Ⅵ)的去除率仍高达95％和93％.     

铜浮选专家控制系统设计与应用

针对国内某选矿厂铜浮选工艺泡沫速率不稳定,精矿品位波动大,回收率不理想等特点,设计了一套浮选专家控制系统,该系统结合泡沫影像分析技术,在线品位分析技术,PID控制与模糊逻辑控制技术。系统架构简明合理,逻辑层次清晰有效,投入运行一段时间后,在不同原矿品位前提下,都能实现稳定泡沫速率,减少精矿品位波动,提高回收率等指标优化,同时药剂添加量也有明显减少。这表明该系统运行效果良好,值得应用推广。     

贯彻《企业知识产权管理规范》国家标准信息系统设计

本文运用现代的信息管理理论,结合具体情况,通过分析国内外信息管理系统现状,实现了一个基于Java的贯标管理信息系统,主要内容有:企业贯标手册文件管理,贯标制度文件管理,贯标记录文件管理,用户管理等。系统的建立旨在将与贯标管理有关的网络数据统一起来,形成一个统一的网络共享数据源,并能帮助企业的贯标管理人员进行信息化贯标管理。     

不同晶相结构ZrO2负载铜基催化剂用于二乙醇胺脱氢反应

通过制备不同晶相结构〔单斜相(m-ZrO_2)、四方相(t-ZrO_2)和无定型(a-ZrO_2)〕ZrO_2载体,再通过沉积沉淀法制得Cu/m-ZrO_2、Cu/t-ZrO_2和Cu/a-ZrO_2催化剂,分别用于催化二乙醇胺脱氢合成亚氨基二乙酸反应。采用XRD、氮气物理吸附脱附、XPS、H_2-TPR、CO_2-TPD对催化剂的结构进行了表征。结果表明,Cu/m-ZrO_2催化剂界面更加有利于Cu~+/Cu~0稳定存在,具有更多的碱性位点,且抗氧化性较好。在二乙醇胺脱氢反应中,Cu/m-ZrO_2催化剂性能最好,反应时间为2.5 h,亚氨基二乙酸收率为97.64%。     

复材双搭胶接结构应力分析与试验研究

飞机复材结构连接的趋势是向着无紧固件方向发展,常采用双搭胶接连接,该连接接头处的胶层剪应力分布是分析双搭胶接连接强度和预测整体复材结构失效的关键问题。建立了基于经典弹性理论的复材双搭胶接结构应力分析理论模型,得到了胶层剪应力分布的解析解,并与根据所测得应变提出的基于经典弹性理论和基于经典层压板理论的应力计算方法得出的胶层剪应力分布结果相比较。结果表明:胶层剪应力分布曲线吻合度较高,峰值相差不超过10.9%。     

石墨烯与金属盐及金属氧化物复合的研究现状

在电化学方面,石墨烯被公认为最具有研究前景的锂电电极材料之一。但是由于制造工艺等因素的影响,石墨烯还无法直接用于锂电池的工业化生产。相比之下,石墨烯与金属盐及金属氧化物复合作为锂电电极材料,人们研究得更加全面而且更加容易实现工业化。介绍了几种石墨烯与金属盐及金属氧化物复合的方法,原理简单,效果显著,在生产和研究方面都有着广阔的应用前景。     

空气对HAC太阳电池晶体硅/本征非晶硅界面污染情况分析

采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率。比对结果表明:全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度（J0）和理论开压（iVOC）分别为5.12×10-15 A·cm-2和0.731 V,模拟效率为23.15%;IN-IP破真空镀膜样品的J0和iVOC分别为9.06×10-14 A·cm-2和0.654 V,模拟效率为20.24%。因此,热丝CVD全程真空环境相对于IN-IP破真空镀膜具有更优的膜层生长方法。