用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

氮氧混合气体高压脉冲电晕放电等离子体的分子束质谱诊断研究

利用具有三级差分抽气系统的分子束质谱仪为检测手段，对N2，O2混合气体的线板式高压脉冲电晕放电等离子体阴极板区的正离子成分进行了诊断研究。实验结果表明：在放电反应室N2,O2混合气体压力1330～3325Pa，峰值电压4～10kV及放电重复频率10～100Hz范围内，N2^ 和O^ 流强相当，N^ 流强约为N2^ 流强的2～10倍，N^ 、N2^ 和O^ 流强随脉冲峰值电压、放电重复频率的升高而增大，随放电气压的变化则存在一极值。     

液晶基元直接横挂于主链上的液晶共聚物的合成与研究

以含液晶基元的单体２，５－双（４－甲氧基苯甲酰氧基）苯乙与苯乙烯通过自由基共聚合反应，首次合成了一系列含液晶性和非液晶性两种序列结构的共聚物。采用ＤＳＣ、偏光显微镜和Ｘ衍射方法研究了共聚物的液晶行为，发现单体和共聚物（只有ＣＰ－５和ＣＰ－６）有很好的热致液晶性。随共聚物中介晶单体单元含量的增加，共聚物玻璃化转变温度Ｔ和热分解温度Ｔ呈规律变化。     

退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响

本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)复合体发光中心模型.     

2万t/a离子膜片碱装置试车运行总结

详细介绍了2万t／a离子膜片碱装置试车过程，对试车中出现的问题提出了解决措施。     

F—离子微酸性介质中Ge—ZSM—5型分子筛的合成

在F~-离子存在的微酸性介质中合成了Ge-ZSM-5型分子筛,并对合成的影响因素及样品结构进行了研究.结果表明,Ge对骨架中的Si产生了同晶取代。     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

K2NbOf5—MF3系玻璃的结构及电性质

研制了Ｋ２ＮｂＯＦ５－ＭＦ３（Ｍ＝Ａｌ、Ｇａ）新体系氟化物玻璃，测定了玻璃的特征温度、Ｒａｍａｎ光谱和电导率，玻璃中Ｎｂ＾５＋、Ａｌ＾３＋、Ｇａ＾３＋分别以ＮｂＯＦ＾２５、ＡｌＦ３＾５、ＧａＦ３６八面体形式存在，玻璃的电导率随ＡｌＦ３含量的增加而增加，当ＡｌＦ２含量达到３０ｍｏｌ％时，Ａｌ＾３＋除ＡｌＦ＾３６八面体外，还有ＡｌＦ４四面体结构出现，同时电导率降低，Ｆ阴离子是主要的导电离子，７５Ｋ２Ｎ