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991.
测定了含不同浓度有害杂质及Ce的8090合金薄板不同方向力学性能及断裂性能.结果表明:Fe,Si使各方向的断裂韧性下降,并使45°方向上的裂纹启裂阻力下降,Na,K除对T-L方向的启裂阻力不造成明显损害外,能够损害各方向的断裂性能.在合金中添加0.09%Ce即可显示有益的合金化作用;如果添加0.28%Ce,可明显改善含一定量Fe,Si的合金薄板各方向的断裂性能,其主要原因在于Ce可通过使再结晶组织均匀,细化晶粒,减少晶界析出相及改善断裂过程等机制抑制杂质对断裂性能的危害.  相似文献   
992.
简要介绍了利用复杂铜原料生产高品质黄铜的背景、关键技术及产业化应用。分析厂家提供的复杂铜原料品质,对原材料进行分选除渣、去除废气等除杂操作并防止大气污染,再进行熔炉提炼高质量黄铜,有效去除复杂铜原料中的金属及非金属杂质成分,最终实现了以复杂铜原料生产出高品质黄铜。  相似文献   
993.
海绵钛产品中的杂质含量是反映海绵钛质量和还原蒸馏水平的一项重要指标,杂质的分布是影响海绵钛等级划分的一个重要因素。采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定样品中Fe、Mn杂质的含量。根据已测得的数据,做出了Fe、Mn含量(质量分数)在钛坨中的分布规律图,对钛坨中Fe、Mn杂质的分布进行了研究。结果表明,Fe杂质含量在海绵钛坨中心部分最低,其次是在中心部位的上部和下部,越接近器壁和底部含量越高,底皮和靠近底部的边皮是含铁量最高的部位。Mn杂质含量在海绵钛坨中上部分最低,其次是中上部分的上部和下部,越朝向底部含量越高,底皮是Mn含量最高的部位。  相似文献   
994.
主要研究了废锂电池酸浸液杂质除杂原理,采取“两段酸浸—中和除Fe、Al—絮凝除F—深度除杂”非萃取除杂工艺。在除杂过程中,由于酸浸液含高浓度Ni、Co、Mn离子,中和剂的种类和浓度将影响Ni、Co、Mn的损失率。通过工艺控制及中和剂调试,选择10%CaCO3作为除Fe、Al、F中和剂,Fe、Al、Cu、F含量可分别从0.20、9.76、0.58、1.66 g/L降至0.01、0.02、0.01、29.86 mg/L,达到三元前驱体溶液杂质标准要求。此时,Ni、Co、Mn的损失率分别仅为0.96%、0.04%、0.01%,均在接受范围之内。  相似文献   
995.
母液中杂质成分对蒸发结晶过程的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
铝酸钠蒸发母液中成份复杂,溶液中Nk、Ns、Nc、K2O、有机物等含量不同均有可能引起结晶习性变化,本文探讨了母液中主要杂质对蒸发结晶性能的影响。  相似文献   
996.
通过污染控制延长比例阀和伺服阀的寿命   总被引:1,自引:1,他引:1  
本文着重讨论了伺服阀和比例阀的失效模式及其原因并给出了推荐的清洁度等级 ,提出了通过控制固体颗粒杂质来防止阀失效的措施 ,并对通过污染控制来延长比例阀伺服阀寿命提出了一些建议  相似文献   
997.
铝硅合金中富铁相杂质的电磁分离   总被引:2,自引:1,他引:2  
焦万丽  张磊 《铸造技术》2006,27(3):269-272
采用熔体过热处理与加锰相结合的方法来改善铝硅合金中富铁相杂质的析出形态,在此基础上对不同含锰量的铝硅合金进行了电磁分离净化。试验结果表明,采用熔体过热处理与加金属锰相结合的方法可使铝硅合金中的富铁相变为尺寸均匀的颗粒状,通过控制锰含量可使富铁相的直径控制在10~40μm之间;铝硅合金中富铁相电磁分离处理的效果取决于Mn和Fe的含量比,当Mn和Fe的摩尔含量比为1.1时,富铁相杂质的一次电磁分离效率为65%。  相似文献   
998.
用Auger谱仪研究了奥氏体化温度对4330M钢晶界上杂质偏聚的影响,并对偏聚量进行了定量计算。结果表明:奥氏体化温度不同,杂质偏聚量也不同。  相似文献   
999.
杂质及Ce对8090Al—Li合金内,外韧化水平的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
孟亮  郑修麟 《金属学报》1997,33(8):802-806
本文研究了杂质及Ce对8090Al-Ni合金内,外韧化水平的影响。结果表明,Fe,Si主Na,K杂质有一定外韧化效果,但严重降低内韧化水平,在含料多杂质的材料中添加微量Ce,能够提高内韧化水平,但却降低外韧化水平。  相似文献   
1000.
辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用辉光放电质谱法 ( GDMS)对高纯半导体材料锑中的 Mg、Si、S、Mn等 1 4种痕量杂质元素进行测量。对仪器工作参数进行了优化选择 ,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨。实验表明 :样品经足够长时间的溅射 ,可以消除样品制备和处理过程中的表面污染 ,可以为其它高纯材料的检测提供可靠的科学依据。辉光放电质谱法是检定高纯半导体材料的理想工具  相似文献   
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