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采用渗硼淬火工艺对造锁模具进行强化,提高模具抗磨料磨损的能力。结果表明,用该工艺能使模具平均提高两倍以上。 相似文献
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固体渗硼时添加10%球化剂得到的硼-稀土共渗层的耐磨性优于渗硼层,其原因是共渗层表层致密、渗层较深、渗层至过渡区的硬度梯度较平缓以及共渗层具有较低的脆性等。 相似文献
33.
国外科学家最近发明了一种高效节能添加剂。它是一种无机质液体,由硼化合物与钙化合物加入水溶解而成,使用时将其加入到窑业原料中共同拌合成型,烧结即可达到节能的效果,而不需要使用特殊设备,使用起来非常简单。应用效果表明,含有节能添加剂的窑业制品烧成温度显著降低,根据不同的制品,通常可降低50℃至200℃,而且对其物理力学性能无任何影响,为窑业制品生产企业带来了福音。 相似文献
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利用一种非平衡固相微量提取(SPME)/气相色谱/质谱分析技术,证明人工合成香料的许多类型和样品间的差异。人工合成香料包括巧克力、桃、梨、焦糖、姜和桂皮。对这些标样按照作为内标,对大多数顶空挥发物可按μg/g计算。以百分数表达的RSD值范围为3-5%。与质谱仪化合物鉴定容量相结合的方法的准确性,为多种人工合成香料的简单区分提供了保证。例如我们检测发现,人工合成香料桂皮中吡嗪存在质量和数量的差异。 相似文献
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掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法,(PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比;硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大,薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米硅,最后发展为多晶硅。红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体,仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献。 相似文献
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40.
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响. 相似文献