给棉方式对高产梳棉机刺辊梳理效果的影响

针对新型高产梳棉机采用顺向给棉方式生产细绒棉产品,梳棉机产量不高、刺辊区落棉率高、除杂效果不够理想、生条和成纱质量指标不佳等问题,通过分析顺向给棉和逆向给棉的优缺点,并在同型号梳棉机上分别采用顺向给棉和逆向给棉2种形式进行梳棉,对比给棉方式对高产梳棉机刺辊梳理效果的影响,验证了给棉方式对高产梳棉机纺精梳纯棉纱和普梳纯棉色纺纱的影响。结果表明:逆向给棉方式可提高梳棉机产量,提高给棉与刺辊之间的分梳能力,降低落棉率,提高落棉含杂率,减轻锡林周围主分梳区的分梳、除杂负担,提高生条和成纱质量,提高梳理器材的使用寿命,尤其对生产以细绒棉为原料的本色纱和色纺纱具有优势。     

粘亚麻氨纶弹力织物的去麻皮漂白工艺探讨

对粘亚麻氨纶弹力织物的漂白工艺进行了探讨,分析了漂白剂浓度、pH值、温度、时间和H2O2复漂工艺等条件对织物漂白效果的影响,比较了不同漂白工艺织物的白度、去麻皮情况、强力等性能。结果表明NaClO-氧漂和Na-ClO-DCCA-氧漂工艺对织物白度及麻皮去除效果相当,但前者的织物弹性较后者的好,强力损伤却较后者的大。     

碲化镉溶液中无机痕量杂质成分分析标准物质研制

本文研制了2 mg/g碲化镉（CdTe）溶液中无机痕量杂质成分分析的5种标准物质,每种包含21种杂质元素,浓度分别为0、1、2、4、8 ng/g。通过辉光放电质谱（GD-MS）法对CdTe原料纯度进行测量,筛选得到纯度>99.999%的高纯原料;使用HCl-HNO₃混酸将其溶解,再根据成分设计定量添加杂质元素,制备得到标准物质候选物。建立了基体匹配-内标校正-电感耦合等离子体质谱法用于标准物质定值与均匀性、稳定性检验,采用标准物质EB507验证方法可靠性。对包装容器溶出进行考察,以高密度聚乙烯（HDPE）作为包装容器可满足要求。采用建立的方法对全部元素进行检验,结果表明,标准物质均匀性以及长、短期稳定性良好,有效期12个月。通过8家实验室联合定值的方式,对标准物质中21种元素进行定值,以算数平均值作为标准值,并对不确定度进行全面、系统地评估。该系列基体标准物质填补了国内外空白,对于验证测量方法的可靠性、确保测量结果的一致性与溯源性具有重要作用。     

硫杂质对焦反应性的影响及其机理(英文)

采用以低杂质沥青焦模拟石油焦和外掺杂的方式,研究硫杂质元素对焦反应性的影响,并通过XRD、SEM和EDS等检测手段探讨其作用机理。结果表明:在无其他杂质元素干扰的情况下,硫实际上是一种对焦的空气和CO2反应性都具有明显催化性的杂质元素。其催化作用可能是通过在焦的空气和CO2反应过程中分别引发有机硫→H2S→SO2→COS和单质硫(S x)→SO2和有机硫→H2S→COS→S x→C2S→COS两组可部分循环并具有增加碳耗和增大焦比表面积作用的反应体系来实现的。     

离子型稀土矿中铝铁杂质的浸出与抑制规律

通过红外光光谱测定、XRD检测等测试方法分析了稀土矿浸出过程中各种矿物表面性质的变化,稀土离子及铝、铁杂质离子与浸出剂和抑制剂的浸出交换过程及规律。结果表明,抑制剂的添加会与稀土矿中的铝、铁等杂质离子反应,形成化合物,从而降低浸出母液中铝、铁杂质离子含量,但不会影响离子型稀土的交换浸出过程。在机理分析的基础上,采用对铝铁杂质有高效抑制效果的抑杂剂LG-01进行离子型稀土矿抑制铝铁杂质的浸出实验研究。结果表明,在不影响离子型稀土矿稀土离子浸出率的情况下,LG-01能有效降低离子型稀土矿浸出母液中铝、铁等杂质离子含量,去除率可达92%。     

苯巴比妥(Ph.Eur.7.1)的合成工艺研究

进行了苯巴比妥的合成工艺研究,探讨了甲醇钠滴加温度、甲乙醇回收终点温度、精制投料配比的影响,对工艺控制点进行了优化,使产品达到欧洲药典Ph.Eur.7.1的质量要求。     

苯乙烯中杂质对悬浮法聚苯乙烯粒径的影响

研究了工本乙烯中苯乙炔、聚合物和甲基苯乙烯三种杂质对浮法聚苯乙烯粒径的影响。结果表明，苯乙炔和聚合物会使聚苯乙烯的粒径增大，而甲基苯乙烯几乎没有影响。     

乙二胺四乙酸四钠中杂质铁的测定

对乙二胺四乙酸四钠中的铁测定,目前主要有两种方法：火焰原子吸收分光光度法和1,10-菲罗琳法。绝大多数用户都采用简便易测的火焰原子吸收分光光度法,但此种方法在不扣除背景的情况下测定结果会因仪器而异。文章通过两台不同型号原子吸收分光光度仪（美国PE-AA100和上海HP-3510）的实验对比表明,在PE-AA100中铁的测定中存在背景吸收,需校正背景,而HP-3510无背景吸收,可直接检测出准确数据。     

Application of GRID to Foreign Atom Localization in Single Crystals

The application of GRID (Gamma Ray Induced Doppler broadening) spectroscopy to the localization of foreign atoms in single crystals is demonstrated on erbium in YAP. By the investigation of the Doppler broadened secondary γ line for two crystalline directions, the Er was determined to be localized on the Y site. Conditions for the nuclear parameters of the impurity atoms used for the application of GRID spectroscopy are discussed.     

Precise analysis of H, C, N, and O as dominant impurities in Cu films: complementary use of SIMS and GDMS

Secondary ion mass spectrometry (SIMS) and glow discharge mass spectrometry (GDMS) were used to determine the impurity concentrations of hydrogen, carbon, nitrogen, and oxygen elements in Cu films, and the results of SIMS and GDMS were carefully interpreted. The Cu films were deposited on Si (100) substrates at substrate bias voltages ranging from 0 V to −150 V using a non-mass separated ion beam deposition method. From the results of SIMS using a Cs⁻ ion beam, as a whole, many high intensity peaks were observed in the Cu films deposited without substrate bias voltage. From the quantitative GDMS results, these peaks were determined to be signals detected as a cluster state such as C_xH_x, O_xH_x, C_xO_xH_x. Therefore, using a combination of these dominant impurities, all the unknown peaks observed in the SIMS results could be interpreted. Moreover, it was found that the dominant impurities having a great influence on the film purity were hydrogen, carbon, nitrogen, and oxygen.