GIC－4117／HC1．7MV Tandetron上的MeV离子注入系统

利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

Influence of growth rate on the structural and morphological properties of TiN, ZrN and TiN/ZrN multilayers

The effect of the deposition rate on the structural and morphological properties of TiN and ZrN single layers and TiN/ZrN multilayers deposited by radiofrequency reactive magnetron sputtering has been studied. The total pressure was kept constant and the growth rate variation was obtained by small difference of nitrogen concentration in the fed gas. The decreasing deposition rate results in a structural change in the thin films from (111) orientation to (100) one. As consequence the surface morphology becomes smoother. Films roughness is strongly related with texture and it decreases with an increase in the (100) X-ray diffraction line intensity. In order to achieve a clear interpretation of our experimental results, the ratio between the N⁺ ions of the plasma and the atoms number reaching the substrate was considered. At high deposition rate with respect to the N⁺ concentration, the chemical potential of transition metal on (100) growth surface is higher than (111) one favouring the (111) orientation of the films. On the contrary, when the growth rate is low with respect to the nitrogen concentration, the chemical potential of transition metal on (111) growth surface is higher than the (100) one leading to a preferential growth in the (100) direction.     

源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响

以高纯石墨作靶，CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜。拉曼光谱表明，CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I（D）/I（G）减小，晶粒增大，芳香环结构出例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论，指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。     

基于ASK无线数传模块的新型安防系统

将无线数传模块和具有低噪声的策控制电路集成设计为一体，构成检测信号和开关量控制信号无线传输的功能模块，并将该模块嵌入到探头和控制器内部，建立无线通讯子网，应用于智能能楼宇安防系统。很好的解决了无线信息冲突问题。经过试运行，系统工作稳定，无线探头报警可靠性达到了使用需求。     

微波非接触式智能卡中射频系统和电路的设计实现

采用了Agilent公司ADS2002软件、Ansoft公司的Ensemble软件对微波非接触智能卡中射频系统和电路进行了仿真和设计。主要进行收发信道性能的仿真、天馈系统设计以及各单元电路之间匹配电路的设计。     

溅射靶材的应用及制备初探

随着电子及信息产业突飞猛进的发展，世界溅射靶材的需求越来越多，本文介绍了靶材的发展概况、分类和应用情况，以及靶材的特性要求．探讨Ni-Cr合金靶材的制备工艺，结果表明，产品能满足靶材特性要求。     

五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性

本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1～ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度     

TEMIC射频卡的速率自适应读卡算法

提出种基于TEMIC射频卡Manchester编码的速率自适应读卡算法,并对该算法进行了说明和示例。