一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

西部地区深井井身结构设计技术探讨

科学合理地确定井身结构及钻井液密度是深井超深井钻井的关键环节之一，其基础是准确建立地层孔隙压力、地应力、破裂压力、坍塌压力的钻前预测剖面。分析了西部地区目前深井井身结构的缺点和进行井身结构应考虑的问题，介绍了深探井井身结构的设计方法，并针对西部复杂地区的地层特点，建议采用3种增加技术套管的井身结构方案。塔河油田钻井实践表明，采用这3种井身结构方案后，深井机械钻速得到提高，钻井周期缩短，而且降低了钻井成本。     

高含沙水深井泵站的综合治理

对攀钢动力厂深井泵站自投产以来出现的主要问题及其解决方案，方法进行了分析和论述。     

深基坑支护结构计算的有限元方法

针对软土地基的特性，本文提出了考虑土体抗力释放与结构模型随施工过程改变的新杆系有限元法，并 编制了求解支护结构内力与变形的计算程序，通过对事例分析．计算结果与实际情况非常吻合，证明了该方法的合理 性。     

Intramolecular crosslinking of poly(vinyl alcohol)

Poly(vinyl alcohol) is crosslinked in dilute solution (c=0.1 wt%) with glutaraldehyde. The reaction product is characterized by viscometry and gel permeation chromatography (g.p.c.). The intrinsic viscosity decreases with increasing degree of crosslinking and does not depend on temperature. G.p.c. reveals that the reaction product is not homogeneous, but consists of a mixture of particles with different sizes, possibly both intra- and intermolecularly crosslinked molecules. The intramolecularly crosslinked molecules are smaller in size than the initial polymer molecules and their size depends on the degree of crosslinking. They possess a narrow particle size distribution even if the initial polymer sample had a broad molecular weight distribution.     

深穿透复合射孔技术在中原油田的应用

深穿透复合射孔是一项把射孔与高能气体压裂两种技术有机地结合在一起的综合改造油气层的新技术。重点对它的技术原理，包括设计原理、枪身内火药燃烧气体对射孔孔眼的冲刷作用原理、火药燃烧气体射流的高能气体压裂作用原理等进行了研究与探讨，同时对它的施工工艺、现场应用等方面进行了阐述，经中原油田189口井现场应用证明，其工艺简便，成本低廉，可实现多层跨隔层使用，处理后增产效果显著，投入产出比高，可代替传统的聚能射孔技术，具有广阔的推广和应用价值。     

深层搅拌水泥桩复合地基在工程中的应用

简要介绍了深层搅拌水泥桩的加固机理和适用条件。详细阐述了深层搅拌水泥桩的加固设计，其内容包括布桩形式，单桩竖向承载力及复合地基承载力的确定以及下卧层与沉降变形的验算。指出了施工中应注意的事项和应通过的质量检验项目，并通过工程实例进行了验证。     

微纳级双极晶体管的热耗散研究

对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与晶格温度T的因变关系。研究结果显示,随着IC的增加,器件的晶格温度逐渐升高,VCE保持在3.0V、VBE达到最大值0.735V时,随器件晶格温度的升高VBE将减小。最后,笔者给出了描述晶体管温变关系的三维曲线。