Raphael-深亚微米集成互连参数仿真优化系统

针对超深亚微米层次下的金属互连设计,使用Raphael(集成布线互连)仿真系统完成了互连寄生效应参数的提取。介绍了Raphael仿真系统的主要功能及基本应用,并分析了常规集成布线互连参数模型。采用二层跨越式互连结构,对寄生电阻、电容参数进行了仿真,并得到电流密度的分布结果。这些参数的提取及验证对电路的布局设计是十分重要的。     

寄生到共生——依附于工业巨构的新城市景观演化

【目的】上海黄浦江两岸的工业遗存是社会发展的重要里程碑,对城市发展和文脉延续发挥着举足轻重的作用。【方法】将生物学概念拓展至建筑学范畴,在当代社会语境下以“寄生”“演化”和“共生”的概念阐释“旧”工业遗存与“新”建筑之间的关系,从创作理念、设计手法、建构表达 3 个层面解读民生码头水岸贯通项目。【结果】探讨了民生码头水岸贯通项目在城市更新层面对于公共空间营造和公众文化价值塑造的重要意义。通过类比 SteelStacks 艺术文化园区、首尔路 7017、杨树浦水厂栈桥和高线公园 4 个代表性的线性空间改造案例,揭示城市景观在新一轮城市更新背景下所发挥的“新陈代谢”作用。【结论】进一步说明了工业建筑与后工业景观相互结合的创新性和独特性：跨领域的融合设计不仅促进了学科内核的进步,更拓展了类型学边界。     

高速SiC MOSFET开关特性的测试方法

为正确地评估高速SiC MOSFET的开关特性,基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究。首先,仿真证明电路中寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,优化设计PCB布局以减小寄生电感,对比PCB布局优化前后的测试结果。其次,对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiC MOSFET开通特性的影响。然后,对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响,并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响。最后,对比分析不同测试点对测试结果的影响。     

桥式电路中不同封装SiC MOSFET串扰问题分析及低栅极关断阻抗的驱动电路

由于SiC MOSFET开关速度较快,使得桥式电路中串扰问题更加严重,这样不仅限制了SiC MOSFET开关速度的提升,也会降低电力电子装置的可靠性。针对SiC MOSFET的非开尔文结构封装和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析,栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路,该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理,提供主要参数的计算方法。最后通过实验测试了两种结构封装SiC MOSFET的串扰问题,并且对提出的驱动电路进行了实验,验证了其正确性以及对串扰问题的抑制效果。     

寄生管充气钻井环空多相流流动特性研究

针对寄生管充气钻井技术的特征,选用Hasan多相流计算模型,确定了井筒环空的流型和压降计算方法,给出了编程求解的计算流程。利用新疆某充气欠平衡井的数据进行计算,对井筒压力、流型变化、含气体积分数随注气量、钻井液排量、井口回压的变化规律进行了研究。在寄生管充气钻井的过程中,井筒环空压力随注气量的增大而减小,随钻井液排量的增大而增大,随井口回压的增大而增大。井筒环空中的含气体积分数随注气量的增大而增大,随钻井液排量的增大而减小,随井口回压的增大而减小。井筒环空中的流型转换点随注气量的增大而下移,随钻井液排量的增大而上移,随井口回压的增大而上移。     

接地金属化孔对交指带通滤波器频响的影响分析

用微带线结构实现有接地端的交指带通滤波器时,接地金属化孔的寄生电感效应将影响带通滤波器的幅频特性。寄生电感的大小可由经验公式近似计算,借助于三维电磁场仿真软件,可以计算出当接地金属化孔的排列方式不同时,由寄生电感引起的带通滤波器中心频率偏移量也不同。接地金属化孔排列引起的寄生电感越小,带通滤波器的中心频率越接近于理论值,因此在设计有接地金属化孔的交指带通滤波器时,需根据所选用的金属化孔排列结构修正滤波器中心频率的偏移。     

SOINMOSFET的双峰及辐射效应研究

通过对SOINMOFET的总剂量辐照试验,对器件辐照中的双峰效应进行研究。文中给出了双峰效应的表征。试验结果表明双峰的形状随辐照总剂量的增加而改变,并分析了具体的原因。另外,背栅晶体管对主要晶体管的耦合效应要远远大于其对寄生晶体管的作用。     

一种新式SEU加固PD SOI SRAM单元

本文提出了一种新式SEU加固的10管PD SOI静态存储单元。通过将互锁反相器中的上拉和下拉管分割成两个串联的晶体管,该单元可有效抑制PD SOI晶体管中的寄生BJT和源漏穿通电荷收集效应,这两种电荷收集效应是引起PD SOISRAM翻转的主要原因。通过混合仿真发现,与穿通的浮体6T单元相比,该单元可完全解决粒子入射单个晶体管引起的单粒子翻转。通过分析该新式单元的翻转机制,认为其SEU性能近似与6T SOI SRAM的单粒子多位翻转性能相等。根据参考文献的测试数据,粗略估计该新式单元的SEU性能比普通45nm 6T SOI SRAM单元提升了17倍。由于新增加了四个晶体管,该单元在面积上增加了43.4%的开销,性能方面有所降低。     

叠层功率母线在大功率变频电源的应用

针对大功率变频电源高功率密度的要求,提出了一种新型叠层功率母线。这种功率母线采用5层式叠层功率母线技术,运用这种新型功率母线可有效地减小功率母线寄生电感,降低功率模块开关过程中产生的尖峰电压和功率母线对电源系统空间的电磁干扰,同时可以增加伴生电容,有利于提高高频时的电容容量,减小电压纹波。通过新型功率母线的应用,母线寄生电感降至40 nH左右,采用0.47μF的吸收电容,就可以获得较好的吸收效果,简化了吸收电路。     

山西省向日葵列当的寄主与发生规律的研究

通过人工接种和田间采集、观察,对向日葵不同生育期列当为害情况、向日葵列当发生情况及列当对向日葵寄生部位进行了调查研究,发现向日葵列当的产生是伴随向日葵的生长发育而寄生的,并随着向日葵的生长而不断寄生.列当的成熟时间也不一致,列当的寄生部位为土表5～10 cm处,也是向日葵毛细根最为发达的部位.