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11.
不同管距时玉米渗灌效果的试验研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
在运城市夹马口灌区和红旗灌区进行了1996,1997两个年度的玉米渗灌试验,研究了不同毛管间距条件下渗灌对其产量及水分生产率等的影响。结果表明,玉米渗灌毛管间距采用0.8~1.0 m较为适宜。毛管间距愈大,产量愈低;渗灌较地面灌平均减产7.23%,较旱地平均增产30.8%;玉米生长期内总耗水量地面灌最大,渗灌次之,旱地最小。渗灌可明显提高玉米水分生产率,渗灌处理水分生产率平均为1.65 kg/m3,是地面灌的1.2倍,是旱地的1.33倍;两年度渗灌较地面灌平均节水44.4%。  相似文献   
12.
通过一栋钢筋砼高层剪力墙结构横墙间距不同方案对结构的抗震性能、受力分布以及材料耗量分析比较,探讨了剪力墙横墙间距优化,提出了供实际设计参考的建议。  相似文献   
13.
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大  相似文献   
14.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.  相似文献   
15.
聂杨江  杜学斌  卫凌云 《焊管》2006,29(4):49-50
针对目前国内内燃弧焊机结构复杂、控制损耗大、效率低等状况,研发了一种新型AXQ1-200 A直流内燃弧焊机.详细介绍了新型AXQ1-200 A直流内燃弧焊机的原理、结构特点及技术参数.该设备整机轻巧,移动方便,操作维护简便,既可提供用于野外手工电弧焊接的直流焊接电源,又可提供DC 220 V/3 000 W的辅助电源.  相似文献   
16.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
17.
介绍了国际上最新的基于光纤Bragg光栅的光纤滤波技术发展情况,详细阐述了分布反馈式光纤Bragg光栅滤波器、多波长选择光纤Bragg光栅滤波器、应用光纤Bragg光栅的Michelson干涉型(MI)滤波器以及光纤Bragg光栅滤波耦合器的理论难点、基本原理及其应用。  相似文献   
18.
陈正兴 《现代电视技术》2002,(12):94-94,132
随着广电事业的飞速发展,广播电视正成为人们生活中重要的一部分.保证广播电视设备的优质运行是每个广播电视工程技术人员的首责.在日常的维护与检修过程中有许许多多的宝贵经验值得加以总结.下面本人以北京广播器材厂生产的CSD-IV/V-1A型分米波1kW彩色电视发射机的一次故障为实例加以分析并解决.以供同行作为参考.  相似文献   
19.
新型高k栅介质材料研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。  相似文献   
20.
挤压力对晶体生长速度及枝晶间距的影响   总被引:4,自引:4,他引:0  
研究了挤压铸造时挤压力对宏观晶体生长速度的影响,给出了晶体生长速度表达式。结果表明:挤压力对合金宏观晶体生长速度的影响除与合金成分有关外,在某些挤压条件下,当形核率的增加幅度超过长大速度时,则挤压力可使宏观晶粒细化;反之,会使宏观晶粒变粗。随着挤压力的提高,合金凝固速度加快,一次枝晶间距和二次枝晶间距都随之减小,从而细化了树枝晶。  相似文献   
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