衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响

采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及光性能的影响.结果表明;制备的SiN薄膜为富硅结构;提高衬底温度,可增加光学带隙;当衬底温度为450℃时,薄膜由尺寸约为40 nm的SiN晶粒组成,且在紫外-可见光区的透过率高达90%.     

基于切削力的PVD涂层刀具性能研究

本文在干式切削条件下,选用钴基硬质合金无涂层数控刀具和钴基硬质合金基体TiAlSiN与TiAlN/Ta涂层数控刀具,分别切削淬火态45钢(52HRC);车削时,采用SW-1车刀空间受力分析仪测量刀具在车削状态下的三向力;结合对被加工件的表面粗糙度测定,探讨TiAlSiN、TiAlN/Ta涂层刀具在相同条件下的三向力、摩擦力和摩擦系数与无涂层钴基硬质合金刀具的差异。结果表明,在车削高硬度材料时,涂层及其成分对车刀三向力和摩擦系数均有较大影响,TiAlN体系中加入稀土元素Ta形成的TiAlN/Ta多层涂层刀具的三向力、摩擦系数明显小于TiAlSiN涂层刀具,而且被加工件的表面粗糙度更小。     

HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系.研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽.     

Production technology of large-area multicrystalline silicon solar cells

In 1996 a conversion efficiency of 17.1% had been obtained on 15 cm×15 cm mc-Si solar cell. In this paper, large-scale production technology of the high-efficiency processing will be discussed. Enlarging reactive ion etching (RIE) equipment size, technology of passivation, and fine contact grid with low resistance by screenprinted metallization, which is firing through PECVD SiN, have been investigated.     

微波ECR—CVD低温SiNx薄膜的氢含量分析

利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）法在低温条件下制备的ＳｉＮ。膜的键的结构和氢含量，分析了微波 功率和后处理条件对膜含量的影响及其成因，提出适当提高微波功率是降低微波ＥＣＲ－ＣＶＤ低温ＳｉＮｘ膜中氢含量的可能途径。     

流态床CVD法纳米氮化硅粉体的制备

采用硅烷和氨气在立式双温区流态床中化学气相沉积, 制备了形状规则的球状无定形氮化硅纳米粉体, 并利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和傅立叶红外(FTIR)研究了该纳米粉体的 形貌、成分和物相. 讨论了该流态床法制备纳米氮化硅的关键因素, 并得到流态床中制备氮化硅纳米粉体的优化工艺参数.     

Optimization of saturation current density of PECVD SiN coated phosphorus diffused emitters using neural network modeling

Emitter surface passivation by low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) silicon nitride is investigated and optimized in this paper. We have found that the saturation current density of a 90±10 μ/sq phosphorus diffused emitter with N_s ≈3 x 10¹⁹ and X_j ≈0.3 μm can be lowered by a factor of eight by appropriate PECVD silicon nitride deposition and photoassisted anneal. PECVD silicon nitride deposition alone reduces the emitter saturation density (J_oe) by about a factor of two to three, and a subsequent photoanneal at temperatures ≥350°C reduces J_oe by another factor of three. In spite of the larger flat band shift for direct PECVD silicon nitride coating, the silicon nitride induced surface passivation is found to be about a factor of two inferior to the thermal oxide plus PECVD silicon nitride passivation due to higher interface state density at the SiN/SiO₂ interface compared to SiO₂/Si interface. A combination of statistical experimental design and neural network modeling is used to show quantitatively that lower radio frequency power, higher substrate temperature, and higher reactor pressure during the PECVD deposition can reduce the J_oe of the silicon nitride coated emitter.     

ZG35Cr24Ni7SiN耐热钢不同温度下的氧化膜特征分析

运用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等手段对900℃和1 250℃下的ZG35Cr24Ni7SiN耐热钢的氧化膜进行了分析和研究.结果发现,ZG35Cr24Ni7SiN耐热钢900℃下的氧化膜在氧化初期只有一层,为Cr2O3 膜,随着氧化时间的延长,其氧化膜分3层,外层为SiO2膜,中间层为Fe2O3膜,内层为Cr2O3 膜,并且在Cr2O3 膜与基材间存在着一个富镍层,由此具有非常好的抗氧化性.ZG35Cr24Ni7SiN 耐热钢1 250℃下的氧化膜在初期分两层,外层为Mn3 O4/NiFe2O4膜,内层为Mn3O4/Cr2O3/SiO2膜.随着氧化时间的延长变成一层,为Cr2O3/Mn3O4 膜,具有较好的抗氧化性.     

富Si的SiN薄膜光致发光及电致发光研究

采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备了三种不同化学计量比的富Si的SiN薄膜,并对其光致发光及电致发光性能进行了研究.研究发现,随着Si含量的增加,薄膜的光致发光峰位从460 nm红移到610 nm,且半高宽不断增加;而薄膜的电致发光峰位并没有随着Si含量的改变而变化,始终处于600 nm附近,这主要是由于富Si的SiN薄膜的光致发光与电致发光的机理是不同的.光致发光来源于SiN薄膜缺陷态能级之间辐射复合,而电致发光则是由注入的裁流子先迟豫到较低的缺陷态能级,然后经过辐射复合而得到.     

基于LiCl盐浓度梯度的固态纳米孔DNA分子检测

针对生物分子通过固态纳米孔的速度过快所引起的低时间分辨率问题,采用氯化锂(LiCl)盐溶液和盐浓度梯度相结合的方法来提高检测过程中信号的时间分辨率.通过在氮化硅薄膜上制备固态纳米孔,并在纳米孔两端施加LiCl盐浓度梯度进行DNA分子检测,发现DNA分子信号频率随LiCl盐浓度梯度的增加呈指数递增趋势,10倍浓度梯度下的...