2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计

用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.     

多介质立体取样及在北黄海油气化探中的应用

由于不同环境条件下,不同化探测试指标受到不同的因素干扰,所以不同介质样品的应用条件存在一定的差异。针对不同介质样品特点,分别采集海底沉积物、底部海水和低空大气3种介质样品,并采用在海底沉积物柱状样不同深度部位取样的立体取样方法,通过多指标综合分析,对不同介质和深度样品的多项化探指标互相进行了验证和补充,可以抑制干扰因素的影响,为油气资源远景评价提供依据。运用该方法在北黄海盆地油气勘查中进行初步尝试,并据此划分了三级化探异常区,提出了有利的含油气远景区,均与已知油气区和区域地质分析的结果相符合,取得了很好的效果。      

渤海湾盆地济阳——临清东部煤系烃源岩形成环境

钻井、地震、测井及测试资料综合研究认为:渤海湾盆地济阳—临清东部地区石炭—二叠系主要发育一套浅海碳酸盐岩台地相灰岩、障壁—潟湖、潮坪、沼泽及三角洲相陆源碎屑岩和煤层.从纵向发育的沉积特征来看,上石炭统本溪组发育浅海台地相碳酸盐岩和浅海陆棚相(陆表海)砂泥岩,太原组主要发育障壁—潟湖、潮坪、沼泽相碳酸盐岩、陆源碎屑岩和煤的混合沉积;二叠系山西组主要发育三角洲相和三角洲平原沼泽相砂泥岩及煤,下石盒子组和上石盒子组则以发育近海陆相碎屑岩沉积为主,局部有河流沼泽的泥炭和煤发育.沉积环境总体具有自下而上、由南向北由浅海相、海陆交互相逐步过渡为陆相的基本特点.成煤环境以晚石炭世—早二叠世太原、山西期潮坪、潟湖过渡带之潮坪沼泽环境及三角洲平原沼泽环境为最佳.      

大庆长垣西侧扶杨油层油水同层形成及识别

结合松辽盆地大庆长垣西侧扶余、杨大城子油层的勘探实践,从顶生下储的特殊成藏原理出发,详细地讨论了扶余、杨大城子油层的油水层形成机理,提出了2种形成模式。认为扶杨油层的油水同层是在以上覆烃源岩的超压为驱动力的成藏条件下形成,油水混合运移注入储层,由于储层的孔喉小,油水重力分异不好,造成孔隙存油,喉道存水。这种低渗透储层孔隙结构复杂,含油饱和度低,油水在孔隙中分布状况特殊,使得电阻率等曲线反映流体的信息变弱,造成油水层识别变难。为此提出多参数降维油气水层识别方法,经实际应用取得较好的效果。      

SIS在赛科项目中的应用

目前，国内很多项目对安全仪表系统要求不是很严格，但随着人们对装置安全及人员保护更加深刻的认识，这类安全仪表系统会得到越来越多的重视和应用。简单介绍了SIS在赛科装置中的应用，SIS各个生命周期以及具体实施的方法，列出了安全度等级，要求故障概率等数据的计算方法。     

几种涉密网主机系统保护及审计技术的比较

论文比较详细地阐述了涉密网主机系统所面临的安全隐患,提出了涉密网主机安全防护所要解决的几个技术问题,并就可能实现的技术方法进行了探讨和比较。     

教育要有针对性管理要有强制性

分析高职学生思想状态的多层次性,提出以正面的思想教育和启发引导为主,同时加强规章制度的制约性,以提高教育管理工作的效果.     

构建高扩展性的县级广电宽带数据网络

提出在县市级广电宽带数据网络的建设过程中,要着眼业务发展,突出高扩展性,构建基于标准、扩展灵活的主干网,实现网络建设的可持续性发展,并结合实际,从核心设备、端口、中继带宽、网络业务4个方面对扩展能力进行了阐述.     

SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。