全文获取类型
收费全文 | 31417篇 |
免费 | 1098篇 |
国内免费 | 2890篇 |
专业分类
电工技术 | 1106篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 1810篇 |
化学工业 | 5645篇 |
金属工艺 | 3152篇 |
机械仪表 | 1542篇 |
建筑科学 | 554篇 |
矿业工程 | 199篇 |
能源动力 | 594篇 |
轻工业 | 1299篇 |
水利工程 | 150篇 |
石油天然气 | 430篇 |
武器工业 | 186篇 |
无线电 | 7391篇 |
一般工业技术 | 9332篇 |
冶金工业 | 722篇 |
原子能技术 | 491篇 |
自动化技术 | 800篇 |
出版年
2024年 | 136篇 |
2023年 | 431篇 |
2022年 | 455篇 |
2021年 | 517篇 |
2020年 | 409篇 |
2019年 | 536篇 |
2018年 | 325篇 |
2017年 | 467篇 |
2016年 | 467篇 |
2015年 | 646篇 |
2014年 | 1416篇 |
2013年 | 1145篇 |
2012年 | 1630篇 |
2011年 | 1656篇 |
2010年 | 1550篇 |
2009年 | 1852篇 |
2008年 | 2217篇 |
2007年 | 2068篇 |
2006年 | 1949篇 |
2005年 | 1798篇 |
2004年 | 1658篇 |
2003年 | 1320篇 |
2002年 | 1188篇 |
2001年 | 1127篇 |
2000年 | 1020篇 |
1999年 | 831篇 |
1998年 | 861篇 |
1997年 | 799篇 |
1996年 | 750篇 |
1995年 | 803篇 |
1994年 | 667篇 |
1993年 | 540篇 |
1992年 | 536篇 |
1991年 | 607篇 |
1990年 | 478篇 |
1989年 | 441篇 |
1988年 | 34篇 |
1987年 | 29篇 |
1986年 | 12篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 3篇 |
1960年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 265 毫秒
41.
退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用铟锡合金靶(铟-锡,90-10),通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜,并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明,随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。 相似文献
43.
CrNx 薄膜具有很高的硬度和耐磨性 ,其高温抗氧化性和耐腐蚀性优良 ,不但可作为耐磨涂层用于工模具和切削工具的表面强化 ,而且在表面防腐和装饰等许多工业领域也有重要用途[1] 。同已经得到广泛工业应用的TiN薄膜相比 ,CrNx 薄膜的硬度更高 ,而且具有比TiN更好的耐腐蚀性能[2 ] 。CrNx 薄膜溅射产额比较高 ,有利于大批量的工业生产 ,更具有实用价值[3 ] 。CrNx 薄膜采用SPC 35 0多功能磁控溅射仪制备。在射频阴极 (r .f.)上安装纯Cr靶 (99 99% )作为溅射材料 ,高速钢基片经 1μm金刚石研磨膏抛光后 ,用丙酮… 相似文献
44.
德国Bayer(拜耳)公司的EVM材料已被用于新型可剥除粘接性标签。德国Nordenia公司提供的“新一代标签”有一层粘接性涂层Levamelt,新开发的粘接层还包括耐碱、防刮PP(聚丙烯)薄膜,可印刷成多种颜色和切割成不同规格,这种标签容易粘贴,而且除去后不留痕迹或残余物。 相似文献
45.
用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒CU/SiO2复合薄膜。获得了在离子来参数一定时,基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律,并对纳米颗粒Cu/SiO2复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。 相似文献
46.
47.
FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。 相似文献
48.
49.
非晶态Ni-W合金镀层的高温氧化性能研究EI 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Ni-W合金镀层的抗高温氧化及镀层加热处理后的硬度。为了进一步提高非晶态合金(Ni-W)镀层的性能,往镀液中又加入了P、Mo、Ce、B元素。 相似文献
50.
钛酸锶钡薄膜的电子显微研究 总被引:3,自引:0,他引:3
传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展。动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高 ,也就是要求同样的信息存储在更小的面积内。传统的方法是通过不断地减小介电层 (非晶SiO2 )的厚度来满足动态随机存储器向高集成度发展的要求的。然而 ,当电介质的厚度小到一定程度后 ,电子的隧道穿透效应将会使该器件无法工作 ,这个厚度就是它的极限厚度。约 80年代末期 ,人们开始普遍的关注到这个极限的到来 ,并开始寻找解决的途径。其中最有希望的途径就是利用高介电系数的电介质替换低介电系数的SiO2 ,也就是通过提高电介质的介… 相似文献