a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-SiC/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟,详细分析不同制备条件下a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布,指出采用更薄p+(a-SiC∶H)薄膜和在pn异质结嵌入i(a-Si∶H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集,从而提高a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的性能,而高强度光照射下模拟计算表明,a-SiC/c-Si异质结太阳能电池具有较高光稳定性.     

PAN／Ni－P纤维和碳黑填充的HIPS复合材料的导电性

研究经化学镀镍的聚丙烯腈（ＰＡＮ）导电纤维（ＰＡＮ／Ｎｉ－Ｐ）填充的高抗冲聚苯乙烯（ＨＩＰＳ）复合材料的导电性与导电填料浓度的关系及加入有机钛酸酯偶联剂的影响、为了进一步提高复合材料的导电性，在ＰＡＮ／Ｎｉ－Ｐ纤维填充的复合材料中又加入不同量的碳黑，由于碳黑粒子的加入改善了纤维间的接触状态，更有利于导电网络的形成，从而大大提高了复合材料的导电能力。     

应用铟源的反应蒸发制备In2O3透明导电膜

本工作说明，在低压氧气氛中。应用铟源的反应蒸发很容易淀积高质量的Ｉｎ２Ｏ３透明导电膜．旦然没有使用锡杂质，但所得膜的性能可以和最好的掺锡的Ｉｎ２Ｏ３膜相比．膜电阻率达２～３×１０￣４Ω·ｃｍ，可见光透过率超过９０％，并且膜生长速率高达２１９／ｍｉｎ．文章对成膜过程作了分析，报道了膜的最佳淀积条件，对由于偏离最佳淀积参数而导致的异常膜的形成机制也进行了讨论．     

导电膏的性能、使用与节电

导电膏的性能、使用与节电四川自贡市金属容器厂王克权１导电膏的性能简介导电膏含的主要成份，由高分子有机材料，抗氧化稳定剂，硅和银、铜、镁、铝等金属导电粉末组成。导电膏的用途、禁忌、特点与保存见表１。表１导电膏的用途、禁忌、特点与保存型号ＤＧ１（高温通用...     

提高LB膜导电率的研究

本文综述了国内外L-B膜的研究结果，并对如何通过选择制膜材料和方法来提高L-B膜导电率作了探讨性研究，最后提出了“前线电子理论的方法”，以检验文中提高L-B膜导电率的理论方法。     

缺陷交互作用对陶瓷半导体导电性能的影响

本文借助于缺陷化学反应过程，分析了陶瓷半导体内缺陷间的交互作用，得到了陶瓷半导体实验研究的三个重要启示：（1）强还原（或氧化）或施主（或受主）掺杂对同一样品不能同时起到最佳效果；（2）本征原子空位对施主或受主的补偿导致电导率的非线性增长；（3）缺陷的缔合降低了半导化杂质的有效浓度，从而使电导性能发生异常变化。