基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅 LDMOS阈值电压模型

本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects )和DIBL(drain-induced barrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.     

低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计

介绍VDMOS阈值电压的定量计算及氧化层厚度对他的影响,及VDMOS的氧化层厚度与特征电阻RONA的关系,讨论了栅氧化层的厚度对特征电阻的影响并进行了简单计算。此外,讨论了最新的VDMOS结构和制造技术,对器件阈值与特征电阻进行了优化。     

300 V IGBT的设计

为了设计一款300 V IGBT,从理论分析了IGBT各工艺参数与器件主要性能之间的关系.并利用Tsuprem4和Medici软件,重点研究了器件工艺参数对器件击穿电压、阈值电压的影响,同时分析了IGBT器件的开关特性及其影响因素,最终得到了兼容CMOS工艺的300 V IGBT的最佳结构、工艺参数.通过计算机模拟得知,该器件的关态和开态的击穿电压都达到了要求,阈值电压为2V,而且兼容目前国内的CMOS工艺,可以很好地应用于各种高压功率集成电路.     

纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型

针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。     

降低栅掺杂和超浅结的制程可变性

随着器件尺寸的缩小。离子注入和退火等制程的可变性开始引起器件阈值电压的显著变化。对此。器件制造商有两个选择：要么围绕可变性来设计制程，要么改变制程设备。本文将探讨在65至32nm节点下DRAM与逻辑器件的各种可选择方案。     

异质栅非对称Halo SOI MOSFET

为了抑制异质栅SOI MOSFET的漏致势垒降低效应，在沟道源端一侧引入了高掺杂Halo结构．通过求解二维电势Poisson方程，为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压解析模型，并对其性能改进情况进行了研究．结果表明，新结构器件比传统的异质栅SOI MOSFETs能更有效地抑制漏致势垒降低效应，并进一步提高载流子输运效率．新结构器件的漏致势垒降低效应随着Halo区掺杂浓度的增加而减弱，但随Halo区长度非单调变化．解析模型与数值模拟软件MEDICI所得结果高度吻合．     

单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.     

Embedded software and hardware implementation system for a human machine interface based on ISOAgLib

Modern agricultural machinery demands adoption of embedded electronic and remote sensing technology for precision agriculture.One of the electronic devices commonly used is the virtual terminal(VT) for tractors.A VT’s functions and terminology are described in the ISO 11783 standard.This paper presents a control system design and implementation for a VT and some other electronic control units(ECUs) for agricultural vehicles based on that standard.Hardware and software development for the VT is implemented using the ISOAgLib open library,in the advanced embedded system.The main part of the system is an embedded board based on a Samsung S3C6410 ARM11 core microprocessor with a controller area network(CAN) module.Its working environment is Windows Embedded CE 6.0(WinCE6.0).The ISOAgLib library provides abundant open sources consistent implementation of ISO 11783.It is written in C++ programming language using object-oriented technology.In this paper,we describe an ISO 11783-based tractor control system with a CAN and its implementation in the embedded system.This paper also explains the operation of a CAN-bus device driver in WinCE6.0 and some modifications of ISOAgLib for our target system.The target system consists of the VT,an ECU for the global positioning system(GPS),and an ECU for lighting for an agricultural tractor.The ECU for GPS and the ECU of a light controller are implemented using STM32F107F ARM Cortex M3-based development boards.     

给电压比较器添加滞后作用

正正反馈是围绕比较器来分配滞后作用的典型方法,前提是比较器的输出与非逆变输入之间具有电阻路径。正反馈形成两个具有(或呈现)固定值的阈值电压。另外,它们还取决于比较器输出级的饱     

提高L80C86系列10种电路性能的研究

简介了提高 L80 C86系列 1 0种电路性能的技术原理和方法