全文获取类型
收费全文 | 87篇 |
免费 | 1篇 |
国内免费 | 6篇 |
专业分类
电工技术 | 7篇 |
综合类 | 3篇 |
化学工业 | 6篇 |
金属工艺 | 38篇 |
机械仪表 | 1篇 |
矿业工程 | 3篇 |
轻工业 | 3篇 |
无线电 | 2篇 |
一般工业技术 | 13篇 |
冶金工业 | 18篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 1篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 6篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 2篇 |
1996年 | 1篇 |
排序方式: 共有94条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
采用经球磨扁平化处理的W粉末为原料,添加适量Co、C(碳黑)、成型剂及纳米W粉制备板状晶硬质合金,研究了烧结温度、时间和添加纳米W粉,对板状晶硬质合金显微组织结构和性能的影响。结果表明,球磨预处理中颗粒W粉末可获得扁平化程度高的薄片状W粉末,以其为原料制备的WC-12%Co(质量分数)板状晶合金相对密度达97%,合金硬度呈现出明显的各向异性;添加纳米W粉或提高烧结温度、延长烧结时间,均有利于压坯烧结收缩致密化,生成更多的板状WC晶粒。 相似文献
12.
用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数.对大多数非故意掺杂样品,该模型值θChin与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明,三者具有较好的一致性.对掺Si样品及有氧或Si污染的非故意掺杂样品,基于Chin理论的补偿度值与普遍采用的实验拟合值常有一定偏差,通过理论计算及数值方法,得到了掺硅GaN补偿度的解析模型函数θSi,在室温载流子浓度3×1016~1018 cm-3范围内,该模型值与普遍采用的实验拟合值符合得较好,与基于Chin理论的补偿度θChin也有很好的相容性.该模型对GaN材料分析及器件的计算机模拟、器件仿真有重要意义. 相似文献
13.
14.
15.
针对北京第一热电厂超高压锅炉辐射式过热器的严重超温变形问题,通过理论计算与技术分析以及试验研究,分析了超温变形的主要原因,提出了技术改进方案。 相似文献
16.
为了改善等离子喷涂ZrO2涂层的抗热震性能,利用热震试验、SEM和EPMA等技术,研究了SiO2添加剂对其显微组织和抗热震性能的影响。当SiO2添加剂质量分数小于3.0%时,涂层的抗热震性能随SiO2添加剂的质量分数的增加而提高;当其质量分数大于3.0%时,涂层的抗热震性能随其质量分数的增加而降低,3.0%SiO2 ZrO2涂层的抗热震起裂次数和抗热震换效次数达到最大值,分别由不添加SiO2涂层时的32次和46次提高到83次和112次。在ZrO2涂层中添加SiO2会促使涂层中形成气孔,并且气孔率和气孔直径随SiO2添加量的增加而增加。3.0%SiO2 ZrO2涂层中形成分布均匀、直径约为1μm的气孔,其气孔率约为10%,此时,涂层的弹性模量和所受到的应力最小,因而涂层的抗热振性最好。 相似文献
17.
采用SEM,EPMA和热震方法,研究了CeO2添加剂对等离子喷涂ZrO2i涂层抗热震性能的影响。结果表明:当CeO2由0增加到9.0%(质量分数,下同)时,涂层的抗热震起裂次数和失效次数分别由32次和46次增加到76次和105次;继续增加CeO2,涂层的抗热震性能急剧下降。ZrO2 9.0?O2涂层在热循环中形成的网状微裂纹,不仅可降低涂层中的应力,也可提高涂层开裂的临界温差,从而可改善其抗热震性能。 相似文献
18.
采用液相原位反应法制备了Cu-0.9Y2O3(体积分数,%)复合材料.TEM观察与SAD分析表明:Cu基体上均匀分布着纳米Y2O3颗粒,其平均尺寸和颗粒间距分别为5.0和20 nm,Y2O3颗粒与基体共格、晶面(422)Y2O3//(111)Cu,晶带轴[011]Y2O3//[112]Cu.实验结果表明,Cu-0.9Y2O3复合材料的抗拉强度为568 MPa,其强化机制为Orowan机制和切割机制共同作用,其中Orowan机制产生的强度增值为185 MPa,切割机制引起强度增加195 MPa. 相似文献
19.
针对传统还原-碳化工艺中WC粉颗粒的长大问题,采用碳氢协同还原-碳化法制备纳米级球形WC粉,研究前驱体配碳比和反应温度对WC粉性能的影响。结果表明,WC的碳含量与前驱体的配碳比密切相关,最佳配碳比(即n(C)/n(W)值)为3.6。W向WC的转变具有结构遗传性,WC的平均粒径与还原温度和碳化温度密切相关。随着还原温度由680 ℃升高至800 ℃,还原水蒸气与碳反应生成CO和H2,显著降低体系中水蒸气的分压,从而抑制中间产物W颗粒的挥发-沉积长大,WC的平均粒径随还原温度升高而减小。碳化过程中的高温促进WC颗粒的晶界迁移和纳米W颗粒之间的烧结合并长大,WC的平均粒径随碳化温度的升高而增大。n(C)/n(W)为3.6的前驱体粉末经800 ℃还原和1100 ℃碳化后,得到平均粒径为87.3 nm的球形WC粉。 相似文献
20.