硅芯片封接用PbO、ZnO、B2O3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系

对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行DSC、红外吸收光谱及X射线衍射谱分析,实验表明,淬火态的软化点低,在500～510℃下完全熔化,有利于芯片的低温封接.重熔再凝固态的熔点高(630℃)、热稳定性好,有利于器件的使用.进一步研究表明,淬火态为无序态,再凝固态为结晶态,其中存在Pb2ZnB2O6的晶体相.无论是在无序态中还是在结晶态中,[BO3]3-离子团都不会破裂,均出现其分子振动的特征简正模.     

方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性。由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

薄层电阻测试Mapping技术

利用改进的范德堡法微区薄层电阻测试探针技术对n-Si片上的硼扩散图形进行薄层电阻的测量，并用发度表示其分布，可得到薄层电阻的不均匀度及平均值．这种所谓Mapping技术更有利于评价材料质量．     

界面态对p/p~+外延片高频C—V法测定杂质纵向浓度分布的影响

硅外延层上自然氧化层中的界面态使汞-硅接触肖特基二极管反向偏置C—V特性偏离理想情况,给外延层杂质纵向浓度分布测定带来较大误差。当正向偏置电压等于自建电势0.6V时的归一化电容值明显偏离按外延层杂质浓度和自然氧化层厚度计算出来的平带电容值,就可判明有界面态存在。只要将样品在化学纯的氢氟酸中漂洗7分钟,即可使界面态减少到不可察觉的程度,然后再进行C—V测量,可保证测定结果的正确性。     

基于牛顿插值法的智能气体体积分数测量装置

介绍了一种新型、高精度的智能气体体积分数测量设备.该设备将ARM7应用到电路中,利用其强大的数据计算处理能力及控制能力,设计出了显示气体体积分数值的测试电路.传感器输出的电信号采用牛顿插值法进行转换,有效地校正传感器的非线性,提高测量的精度.通过C语言编程实现该算法,经测试,该装置的精度误差保持在±1.5%,能够准确地对环境中的气体进行监控,并具有到限报警功能.     

基于单片机信息融合实现对压力传感器的热漂移非线性补偿

本文应用Matlab软件，结合实际测定的热零点漂移非抛物线关系及输入压力和输出信号的非线性关系，基于传感器融合理论，融人环境温度信息，为智能化技术提供一种算法和得到压力的解析表达式，同时利用单片机实现了它的非线性和温度补偿。     

金属氧化物掺杂对TiO2气敏特性的影响

掺杂金属氧化物可显著提高TiO2的气敏这一特性，正逐渐成为研究的热点。本文综述了掺杂金属氧化物对TiO2气敏特性的主要影响及机理；总结了目前研究中所掺杂的十多种金属氧化物，并就各种掺杂物对TiO2气敏特性的作用进行了具体分析。     

复合膜吸杂技术在硅分立器件制造中的应用

利用复合膜吸杂技术处理硅晶体材料改善硅衬底及外延片质量的吸杂原理.通过三探针测量、DLTS 检测、MOS 电容器弛预时间、器件结特性的改善和成品率的提高显示了复合膜吸杂的吸杂效果.实验结果表明,复合膜吸杂枝术是有效、简便、可控、稳定、成本低廉且与器件制造工艺是相容的.很有开发、推广价值.     

纳米TiO2光触媒薄膜的制备及改性研究进展

根据近年来光催化技术的研究成果,从3个方面综述了纳米TiO2薄膜光触媒薄膜的研究进展:制备工艺、影响TiO2薄膜光催化活性的因素和改善其光催化效率的方法.最后,对目前TiO2光触媒研究中存在的主要问题和发展前景进行了简要评述和展望.     

用于高温压力传感器的AlN绝缘膜的研究

采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜.用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析,研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性,分析了AlN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系.选用AlN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,得到了极好的压力传感器特性,即零点电漂移及热漂移小及非线性小.